热蒸发制备薄膜材料精要.pptVIP

目录 1.热蒸发法发展历史 2.热蒸发原理 3.工艺参数 4.工艺举例 5.小结 Diagram 一.热蒸发制薄膜历史发展 二.原理 热蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的源，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到衬底或基片表面，凝固形成固态薄膜的方法。 全自动精密光学镀膜机 三. 工艺参数 影响成膜的因素有： 压力 温度 基片 蒸发源的基本特征 1.压力 蒸发镀膜，要求从蒸发源出来的蒸汽分子或原子，到达被镀膜基片的距离要小于镀膜室内残余气体分子的平均自由程，这样才能保证蒸发物的蒸汽分子能无碰撞地到达基片表面。保证薄膜纯净和牢固，蒸发物也不至于氧化。 气体分子运动平均自由程公式 式中：d?为分子直径，T?为环境温度（K），p?为气体压强（帕）。对于蒸发源到基片的距离为0.15～0.25?米的镀膜装置，镀膜室的真空度须在10-2~10-5帕之间才能满足。 2.温度 蒸发速率 温度与饱和蒸汽压的关系 3.基片 基片温度： 基片温度对薄膜结构有较大影响，基片温度高，使吸附原子的动能增大，跨越表面势垒的几率增多，容易结晶化，并使薄膜缺陷减少，同时薄膜内应力也会减少;基片温度低，则易形成无定形结构膜。 基片清洁度： 根据薄膜的生长机理，保持基片的平滑清洁有利于生成均匀的薄膜。 4. 4.蒸发源的基本特征 需考虑问题： 蒸发源形状、蒸发源与基片的位置匹配、蒸发源类型。 基片形状 1.基片形状 点蒸发源： 能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源。 蒸发质量： 小平面蒸发源： 点源和小平面源的比较 2.蒸发源与基板的相对位置配置 小平面源与基板相对位置 3.蒸发源的类型 最常用的有：电阻法、电子束法、高频法等。 电阻蒸发源 直接加热法（W、Mo、Ta） 间接加热法（Al2O3、BeO等坩埚） 常用电阻加热蒸发源形状 蒸镀材料对蒸发源材料的“湿润性” 选择蒸发源材料时，必须考虑蒸镀材料与蒸发材料的“湿润性”问题。 电子束蒸发源 电子束蒸发源的优点： 电子束的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。 可将被蒸发材料置于水冷坩埚内，避免了容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸发材料的反应，提高了薄膜的纯度。 热量直接加到蒸镀材料表面，热效率高，热传导和热辐射损失小。 电子束蒸发源的缺点： 可使蒸发气体和残余气体电离，有时会影响膜层质量； 电子束蒸镀装置结构复杂，价格昂贵； 产生的射线对人体有一定的伤害。 电子束蒸发源的结构 直型枪 环型枪 e 型枪 环形枪体剖面图 e型枪体剖面图 高频感应蒸发源 高频感应蒸发源的特点： 蒸发速率大，比电阻蒸发源大10倍左右； 蒸发源温度均匀稳定，不易产生飞溅； 蒸发材料是金属时，从内部加热； 蒸发源一次加料，无需送料机构，控温容易，热惰性小，操作简单。 四. 四.热蒸发法制薄膜应用举例——纳米SnO2的制备 1.SnO2的研究意义： SnO2是重要的化工原料，除具有良好的阻燃、导电性能外， 还有反射红外线辐射及遮光、吸附、化学性能稳定等特点。而纳 米SnO2作为一种新型功能材料更引起广泛研究和应用。 由于纳米SnO2具备超微粒子和SnO2 本身表面结构和物理性能， 在功能陶瓷、太阳能电池、液晶显示、光探测器、光学玻璃、有 机合成催化剂、导电机壳、信息材料和敏感材料等方面获得了越 来越广泛的应用。 以下引用Z.R.Dai at al.Adv.Funct.Mater.2003.13,No.1,January 发表的题为Novel Nanostructures of Functional Oxides Synthesized by Thermal Evaporation.的文章 2.实验过程 仪器设备 源材料性质 370-400℃ SnO(s,粉末)