第九讲(高性能主存储器技术)精要.pptVIP

第3章 内部存储器 南大科技学院 主讲 罗少彬 Email ：luoshaobin2010@163.com Phone：83#####例：有若干片1M×8位的SRAM芯片，采用字扩展方法构成4MB存储器，问(1) 需要多少片RAM芯片？(2) 该存储器需要多少地址位？(3) 画出该存储器与CPU连接的结构图，设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ和R/W#。(4) 给出地址译码器的逻辑表达式。 解：(1) 需要4M/1M = 4片SRAM芯片； (2) 需要22条地址线 (3) 译码器的输出信号 逻辑表达式为： 例 设有若干片256K×8位的SRAM芯片，问：(1) 采用字扩展方法构成2048KB的存储器需要多少片SRAM芯片？(2) 该存储器需要多少字节地址位？(3) 画出该存储器与CPU连接的结构图，设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ#和R/W#。 解：(1) 该存储器需要2048K/256K = 8片SRAM芯片； (2) 需要21条地址线，因为221=2048K，其中高3位用于芯片选择，低18位作为每个 存储器芯片的地址输入。 (3) 该存储器与CPU连接 的结构图如下。 例 设有若干片256K×8位的SRAM芯片，问： (1) 如何构成2048K×32位的存储器？ (2) 需要多少