薄膜物理第二章课件.pptVIP

五、激光蒸发(Laser Evaporation)装置 ?工作室组成： 2个工作室，可在两个工作室间进行靶材、样品、基片的交换。 小工作室： little chamber 主工作室： main chamber ?沉积室真空度：～10-6 Pa ?真空组成： 真空泵：机械泵+涡轮分子泵+涡轮分子泵 真空计：复合真空计（2个） ?靶材操纵器（Target Manipulator: TM） 作用：a)控制靶材的位置，使激光束聚焦在靶材的中央 b)控制靶材的转动，使靶材表面被均匀的照射到，使激 光照射后的靶材表面保持相对的平整 c)可同时放入多个靶材（3个），实现multilayer的沉积 ?基片操纵器（substrate manipulator, SM） 作用：a)控制基片的位置，使基片正对着靶材；同时 可调节target-substrate distance b)控制基片的转动，改善薄膜的均匀性 c)基片加热 d)可同时放入多个基片（2个） ?实验中可调控的参数： 激光参数：wavelength (248 nm), pulse duration (20 ns), repetition rate (often used: 1-100 Hz), Laser fluence (mJ/cm2) target-substrate distance 基片温度 通入气体：Ar， N2，O2，等 1.何谓分子束外延 ?超高真空条件下 ?各组分材料及掺杂物分别加热 ?按一定比例分子束喷射 ?在基片上外延生长单晶薄膜 2. 分子束外延设备主要组成部分 （1）超高真空样品室 （2）多个分子束喷设炉，计算机精确控温 （3）快门（可实现束流的快速切换从而达到外延 层厚度、组分、掺杂的精确控制） （4）各种先进的监控器 ?质谱仪（残余气体及分子束成分，密度，膜厚） ?电子衍射仪（晶体结构） ?俄歇电子谱仪（表面污染情况，生长层组分分析） 3. 特点 （1）超高真空环境淀积，大大减少残余气体污染 （2）多个分子束源炉：可得多元混晶、合金、 化合物及进行掺杂 （3）喷射炉附近液氮冷却： ?避免蒸发原子散射、反射相互污染， ?避免对基片的热辐射 ?冻住残余气体 （4）蒸发速率低：可进行单原子层生长，生长超薄 而平整膜 （5）衬底温度较低：降低界面处热膨胀引起的晶格 失配 （6）膜厚、成分、晶体质量实时监控 4.缺点： ?外延生长时间长 ?运行费较高 5.应用： ?微波器件 ?光电器件 ?多层周期结构器件 ?单分子层薄膜 ?超晶格结构 六、分子束外延（MBE） 六、分子束外延（MBE） 六、分子束外延（MBE） 引言-薄膜沉积的物理方法简介 PVD的概念：在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料逸出沉积物质粒子（可以是原子、分子或离子），这些粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。 其技术关键在于：如何将源材料转变为气相粒子（而非CVD的化学反应）！ PVD的三个关键过程： PVD的工程分类： 基于气相粒子发射方式不同而分！ 一、概念：在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。 二、两个关键： 真空度：P ≤ 10-3 Pa （保证蒸发，粒子具分子流特征，以直线运动）如果真空室压力过高，会出现什么情况？ a)气化原子或分子在飞行过程中被空气分子频繁碰撞，难以形成均 匀的薄膜 b)污染薄膜（轰击基片并吸附） c)蒸发源被氧化；蒸发原子或分子被氧化 基片距离 (相对于蒸发源)：10~50 cm（兼顾沉积均匀性和气相粒子平 均自由程） 使得蒸发分子几乎不发生碰撞就到达衬底表面。 2 真空蒸发沉积 2.1 真空蒸发沉积的概念及