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例2 非平行薄干涉 例2 例3 例3 例 续 单缝衍射 例1 例2 A B C D 解 对无限长ABCD： 对BC弧： 对补偿的直BC： 例3 方向指向纸外 对 对 是半圆弧， 对 高斯定理 例4 环路定理 的环路积分只与环内电流有关,与环外电流无关。 是闭合环路内电流的代数和。 是环路 l 上任一点的磁场，是环内、外所有电流的产生磁场的矢量和。 右手螺旋关系：四指沿环路 l 方向，大拇指的指向为规定电流正方向。 电流的正负相对规定正方向而言。 例5 例6 应用举例 应用小结 安培力 安培力 例9 例16 计算量 小测验1 解1 2 电磁感应 两类电动势 ⊥ ⊥ 或 计算量 例1 两根无限长平行直导线载有大小相等方向相反的电流 I ， I以dI/dt 变化率增长，一矩形线圈位于导线平面内（如图），则 （A）线圈中无感应电流 （B）线圈中感应电流为顺时针方向 （C）线圈中感应电流为逆时针方向 （D）线圈中感应电流不确定 I 1 2 . × ＞ B dI/dt↑ dB/dt↑ dB/dt↑ dΦ/dt↑ 2．半径为 R 的无限长密绕螺线管，单位长度的匝数 为 n ，通以交变电流 i ＝ Imsinωt ，求围在管外的同 轴圆形回路（半径为 r ）上的感应电动势 。 例 例 例 例 例 例 例 杨氏干涉 薄膜干涉 * 课程安排 上学期 本学期 成绩评定 大学物理（二）考试范围： 10-6 不考 11-3 11-4 不考 静电场能量仅要求掌握P52电容器储能公式（11-22)~(11-24) 12-3 12-7 12-8不考 13-4不考 14-3不考 第15章 15-4中斜入射不考 15-5不考 圆孔衍射、X射线衍射、双折射不考 18-1 18-4 不考 第19章仅考19-1 19-2 仅要求通电线圈储能公式 成绩评定 大学物理（二）练习册以下题目删除： P8 计（1）； P10 计（2）； P11 选（2）填（2）（3）； P22计（2）第三问 P26计（2） 第十四章 P33 填（2） P39 填（1）（2） 早期量子论（Ⅲ） P12 计（2）； P19 填（1）（2）； P20 计（2）中合力矩不要求掌握 练习册答案中错误更正： P1 选1. D 改为 B P2 计3. 改为 P10选1. 改为 P11选2. D 改为 B P15 填（二） 改为 改为 P16 计2. Φ＝μ0 nπR2 改为 Φ＝μ0 n iπR2 P20 计1. 改为 P22 计2. 只能出现 0、±1、±2、±3、±4、±5共9条光谱线 改为 只能出现 0、±1、±2、±4、±5共9条光谱线 静电场强 静电势 高斯定理 是闭合面(高斯面)面内电荷的代数和。 只与面内电荷有关,与面外电荷无关。 是高斯面上任一点的场强，是由面内、外所有电荷共同产生。 高斯定理说明 静电场是有源场。 高斯定理适用于所有静电场，一般用来求对称场的分布。 三步：①分析场的对称性；②取高斯面；③由定理列方程求 E。 应用举例 环路定理 静电场是保守力场，可引入电势能→电势。 静电场力是保守力或静电场力做功与路径无关。 计算量 典型电场 例1 D 关于高斯定理的理解有下面几种说法，其中正确的是： （A）如果高斯面 上处处为零，则该面内必无电荷。 （B）如果高斯面内无电荷，则高斯面上 处处为零。 （C）如果高斯面上 处处不为零，则高斯面内必有电荷。 （D）如果高斯面内有净电荷，则通过高斯面的电通量必不为零。 （E）高斯定理仅适用于具有高度对称性的电场。 [ ] 例 续上 简例 电势 叠加法 例3 例 例 例 求 向左 向右 向右 解：先规定正方向：向右为正，向左为负 x 11章小结导体 0 ∴ P29选2 毕萨定律 右手法则 四指 拇指 电流 磁场——适用于圆（弧形）电流 磁场 电流——适用于直电流 直电流 圆电流 典型磁场 例1 A B C D 对CD： 对BC弧： 解 对AB： *