太原理工大学模拟电路第1章 模拟电子技术基础.pptVIP

模拟电子技术基础 韩晓明xm_han@126.com太原理工大学 第1章 常用半导体器件 1.1半导体基础知识 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间 如：硅、锗 特性：1、导电能力 2、热敏性 3、光敏性 4、掺杂性 1.1.1本征半导体 定义：纯净的结构完整的半导体。 如高纯度的单晶 硅（14）和锗（32） 均为四价元素。 立体图 平面图 特性： 1、绝对零度且无外界激发，不导电。 2、温度升高，少数价电子因热激发获得足够的 能量，成为自由电子，可以导电。 概念：自由电子、空穴、载流子、本征激发 本征激发：半导体中共价键分裂产生电子、空 穴对的过程。（加热、光、射线照射） 载流子复合：自由电子运动过程中能量减少， 填补空穴恢复共价键。 本征半导体载流子浓度公式 为热力学温度， 为玻耳兹曼常数 ， 为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度， 是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。 不同半导体载流子浓度不同，主要由物质的原子结构、有关束缚能力大小有关。 1.1.2杂质半导体 1、N型半导体 (掺入五价元素如砷或磷) 电子、空穴、正离子 载流子：电子、空穴 正离子只带电不移动 自由电子数目空穴数目 多子少子 注意:自由电子移去留下的 空位不是空穴 2、P型半导体 掺入三价元素（硼或铟） 空穴(多子)电子(少子) 硼负离子、电子、空穴 P型半导体：以空穴为主要导电方式的杂质半导体 N型半导体：以自由电子为主要导电方式的杂质 半导体 注意： 1、杂质半导体均为电中性 2、多子浓度决定于掺入杂质的浓度，少子浓度与温度、光照有关。 判断题： 1、在N型半导体中多子是电子，电子带负电 荷，所以N型半导体带负电荷。 2、 P型半导体中载流子包括自由电子、空穴 、负离子。 3、载流子的运动 1）扩散运动 浓度差----均匀分布 2）漂移运动 电场作用下，载流子有规则的定向运动 1.1.3PN结 杂质半导体导电能力 大大增强，但并不能直接 用来制作元件 1、PN结的形成 漂移、扩散动态平衡 空间电荷区又名耗尽层， 电阻无穷大，电流为零 2、PN结的单向导电性 1）正向偏置 内电场0.xV 串联R 2）反向偏置 耗尽层变宽，内电 场增强，利于漂移 此时，通过PN结的 电流主要是少子的 飘移，称为PN结的 反向电流，但很小 随温度升高而增大 3）PN结的伏安特性 正向时 反向时 4）PN结的反向击穿 齐纳击穿：在高掺杂的情况下，耗尽层宽度很小，不大的反向压降可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，产生电子-空穴对，使电流急剧增大。 雪崩击穿：在低掺杂的情况下，耗尽层宽度很宽，低压降不会产生齐纳击穿。反向电压增大时，内电场使少子加快漂移，撞击共价键中的电子，产生电子-空穴对，新产生的电子-空穴对又去撞击别的价电子，载流子倍增使电流急剧增大。 电击穿 包括：齐纳击穿和雪崩击穿 均为可逆的，可逆条件为： 反向电压与电流之积允许的耗散功率 应用例子：稳压管 若反向电压与电流之积允许的耗散功 率，则热击穿，不可逆。 5)PN结的电容效应 1、势垒电容 PN结外加电压时，耗尽层宽度变化，电荷量增加或减少，类似电容充放电 2、扩散电容 PN结外加电压变化时，少子的数量会发生改变，类似电容充放电 上述电容值很小，低频时可忽略，高频时考虑。 1.2半导体二极管 1、结构 a)点接触型 b)面接触型 c)平面型 d)符号 2、伏安特性 Uon：开启电压 硅：0.5V 锗：0.1V 导通电压： 硅：0.7V 锗：0.2V 3、主要参数 1)最大整流电流:最大正向平均电流 2)最大反向工作电压: 通常取击穿电压的一半 3)反向电流:未击穿时的反向电流越小，单向导电性越好 4)最高工作频率 二极管的图片 二极管的图片 二极管的图片 功率二极管 4、等效电路 5、微变等效电路 6、应用 1)限幅 2)整流 3)计算 4)门电路 2)整流 半波整流 2)整流 全波整流 3)计算 自测题三 写出图示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 4)门电路 习题1.5 电路如图P1.5(a)所示，其输入电压u