大学物理课件第17章1祥解.pptVIP

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大学物理课件第17章1祥解.ppt

§17.3 半导体的导电机理 空带 满带 禁带 -e -e -e -e Ie IP ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1、本征半导体 不含杂质的半导体 (纯净半导体) 本征激发 空 穴 电 流 导电机制: (本征导电) 满带 空带 禁带 本征导电中的载流子是电子和空穴 2、杂质半导体 ——含有少量杂质的半导体 (1)n 型导体(施主杂质半导体) 在纯净半导中掺入少量可提供导电电子的杂质所形成的半导体。 例如在四价锗(Ge)元素半导体中掺入五价砷(As)所形成的半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge As As +5 +5 掺入As以后,五个价电 子中,有四个电子与周 围的Ge组成共价键晶体 ,还多余一个电子,此 电子处于特殊的能级。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge AS AS +5 +5 掺入AS以后,五个 价电子中,有四个电子 与周围的Ge组成共价键 晶体,还多余一个电子, 此电子处于特殊的能级。 满带 空带 施主能级 能带结构: 理论证明:掺入这种杂质后电子处于靠近空带下沿处的一个能级中(“施主能级”) 施主能级与上空带下能级的能级间隔称“施主杂质电离 能”( ) 这种杂质可提 供导电电子故 称为施主杂质 满带 空带 导电机制: 施主能级 由于 较小,施主能级中的电子很容易激发到空带而在施主能级上留下不可移动的空穴.此称“杂质激发”,当然也存在本征激发。 总之,跃入空带中的电子数等于满带及施主能级中的空穴数,由于施主能级中的空穴不能移动,故在常温下,能导电的空穴数远小于电子数,导电作用主要靠跃入空带中的电子。(多数载流子) 故n型半导体又称电子型半导体 (2)P 型导体(受主杂质半导体) 在纯净半导中掺入少量可提供导电空穴的杂质所形成的半导体。 例如在四价锗(Ge)元素半导体中掺入三价硼(B)所形成的半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge 掺入B以后,B是三价, 与周围的Ge组成共价键 晶体,还缺少一个电子, 从而形成一个空穴,此 空穴处于特殊的能级。 B B +3 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge B B +3 +3 满带 空带 受主能级 能带结构: 理论证明:掺入这种杂质后空穴处于靠近满带上沿处的一个能级中(“受主能级”) 受主能级与满带上能级的能级间隔称“受主杂质电离能”( ) 这种杂质可提 供导电空穴故 称为受主杂质 满带 空带 导电机制: 受主能级 由于 较小,满带中的电子很容易激发到受主能级中而在满带中留下空穴.此称“杂质激发”,当然也存在本征激发。 总之,满带中的空穴数等于空带及受主能级中的电子数之和,由于受主能级中的电子不能移动,故在常温下,能导电的空穴数远大于电子数,导电作用主要靠满带中的空穴.(空穴是主要 载流子) 故P型半导体又称空穴型半导体 1)不论何种半导体,载流子密度对半导体的电导率起着重要作用,而这又决定于半导体中杂质的含量,半导体的性质对杂质含量极其敏感,因此对于本征半导体的纯度要求极高(99999%以上),掺入的杂质数量要精确控制,要求工艺先进。 2)以上讨论的是元素半导体,此外还有化合物半导体、非晶态半导体等,它们具有一 些独特的物性,可望获得广泛的应用。 注意: (3)P - n 结及其整流特性 P型 N型 U x P型衬底 1)P-n结的构造: N型杂质 2) P-n结的形成 P型半导体与n型半导型接触形成的偶电层结构,这种结构称为P-n结。 扩散 P型 N型 P型 N型 能级结构 x x 禁带 空带 满带 n区 P区 n区 P区 本征激发 杂质激发 电 子 势 能 空 穴 势 能 半导体二级管符号 3)P - n 结整流特性 N型 P型 N型 P型 多数载流子形成 正向电流 少数载流子形成 反向电流 半导体二极管的伏安特性 结论:半导体二极管具有单向导电性 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情

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