界面修饰对氧化锌基薄膜晶体管性能的影响.pdfVIP

中文摘要 摘要：本论文的主要内容为研究以氧化锌薄膜为有源层，制备氧化锌薄膜晶体管 (ZnO．TFT)，分别从氧化锌薄膜的厚度，利用不同材料进行界面修饰，以及有机 一无机复合等角度对氧化锌薄膜晶体管的电学性能进行了研究。 首先，利用磁控溅射的方法，使用纯度为99．99％锌作为靶材，通过控制不同 的氩气与氧气的比例以及调节溅射功率，得出了制备氧化锌薄膜的最佳成膜条件。 时，通过XRD和AFM测试表明在此条件下成膜质量最佳。 其次，在上述最佳的成膜条件下，利用磁控溅射的方法，通过控制溅射的时 95nm四个不同厚度的氧化锌薄膜层，制备出器件，通过测试它们的电学性质，得 同时沿垂直于衬底和平行于衬底方向生长，沿载流子传输方向的晶界密度低，薄 膜表面形貌最佳，成膜质量最好，因此得到的晶体管的性能相对最好。 第三，利用氟化锂对有源层和铝电极之间的界面进行了修饰，发现通过氟化 锂的界面修饰，器件的迁移率都有所上升，在有源层厚度为45nm时，器件的迁移 cnl2／V．S、0．319 率达到了0．920cm2／V·s，从800s到1200s的器件的迁移率分别是0．278 cnl2／V．s、0．304 cnl2／V·S。随后，利用氧化钼对器件有源层和铝电极之问的界面进行 了修饰，发现通过氧化钼的界面修饰，器件的迁移率都有所下降，在有源层厚度 0．263cnl2／V．s。 第四，研究了不同厚度并五苯薄膜的薄膜质量，利用热蒸发，制备了 在10nm至40nm厚度时成膜质量较好。 第五，将氧化锌和并五苯两种不同的有源层复合制成氧化锌／并五苯薄膜晶体 迁移率高于有PhTMs修饰的器件，迁移率为O．552cm2N．so 的四个器件，并通过测量其电学性质发现在氧化锌薄膜厚度为45nm，并五苯薄膜 厚度为10nm时，器件的迁移率最高，为0．552cm2N．so 图76幅，表5个，参考文献42篇。 关键词：氧化锌；界面修饰；氟化锂；场效应迁移率；并五苯 分类号：TN321．5 j匕塞交通太堂亟±堂僮i金塞 △旦墨工基△g! ABSTRACT ABSTRACT：ThemaincontentofthisthesisiSresearch theactive ofZnOthin layer film zincoxidethinfilms．Weresearchzincoxide transistor(ZnO-TFT)preparedby thinfilmtransistorselectrical fromthe ofthickness ofZnOthin propertiespoint films， modificationof interfacial theuseofdifferent materials，and compound． usethemethod First，we of obtainedthebest magnetronsputtering，we conditionsof theZnOthinfilmswith of aS 99．99％zinc film-forming