一种高集成射频接收前端.pdfVIP

第35卷 第4期 固体 电子学研究与进展 Vo1．35，No．4 2015芷 8月 RESEARCH PROGRESSOFSSE Aug．，2015 7＼ 射频与微波 ^ 、 一 种高集成射频接收前端 黄贞松 宋 艳 许 庆 杨 磊 (南京 电子器件研究所 ，南京 ，210016) 2014—11-27收稿 ，2015-04—09收改稿 摘要 ：采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作 的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯 片、多芯片组件工艺技术设计 的接收前端 ，在 1～4GHz频带 内插入损耗小于 0．4dB，可通过连续波功率 8Ow ，噪 声系数小于 1．0dB，增益大于 30dB，ldB压缩点输出功率大于 10dBm，尺寸为 6．0ITlm×6．0mm×1．2mm 的