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Ca3B2N4-hBN系中立方氮化硼的膜生长机制.pdf
VoL6,No。
θ 4期 高 压 物 理 学 报 4
第 卷 第
1θ92+12月 CHINEsE JOt,RNAL OF HIoH PRstIRE PWsICs DoC。 ,1992
Ca:B2N4-hBN系 立方 化硼
中 氮
的膜生长机制
臣 晓 广田
张铁 马文骏 郭伟力 徐 伟 邹
(吉林大学原子与分子物理研究所,超硬材料国家重点实验室,长奋 180028)
Ca。砀N4为 ,在 温 压 对六角 化羽进 处理,在 六角抵化钔与浊媒的
扪 Ⅱ 以 触媒 亩 亩 下 氖 行
立 。 六 化曰到立 化 Ⅱ的转变与人
交界处得到 了被金冂膜包 Ⅱ的 方负化曰晶体 这表明 角风 方奴
六 田 处 优成核,在生长着
:立 化钔晶 在触媒与 角抵化 接触 择
生 机 似 方氨 体
造金 石的膜 长 制类
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立 六 化硐之间 在右金 日潜胰,该肤对立方抵化田 基元 有棺 作用 随者
的 方氨化 Ⅱ与 角氮 存
,在 立 m晶 。
区 后留 生长的 方 化
该金曰膜向六角氮化硐 的推进 其 下 抵 体
金 生 机
关Q词 立方氮化硐 触媒 曰膜 长 制
亠
-、 引 一 日
立 硼 (cBN)在 温下 族金属及其合金 的亲合能力 比金刚石弱,而 它的
由于 方氮化 高 与铁
,因 此 cBN作 和刀具材料越来越受到人们的重视 。近年来随
硬度又仅次于金刚石 为磨料
cBN研 ,特 cBN高 二 ,作 一 在 的功能材料 ,cBN的
着对 究的深入 别是 温 极管 的问世 为 种潜
、 以 性更加 引人注 目。
高温半导体特性 压 电特性 及高频特
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