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第 3卷 第 3 期 高 压 物 理 学 报 VoI。3。 No。3
9月
19gg年 CHINEsE JOURNAL OF HIGH PREssURE PHYsICs sept。
。1989
硅酸锶 Eu3+的 压 光 十
掺 高 合成及发 特性
杨景海 王一埤 刘宏建 苏文辉
(吉林大学固体物理教研室)
李 彬 欧阳昌俊
(占林大学材料科学系)
幸志明
(四 平 范学院物理系)
师
Eu3+u3+和 Eu;+Ⅱ
摘要 首次采用高压高温方法合成 了srsio。∶ srsio3∶ 发光材料9研 究 F
合成压力 、合成温度对发光特性 的影呐。与常压合成产物相比较 ,发光谐线发生 了红移 :谱线半
X对 Eu3+Bi)+发
宽度显著增大 :发光强度和三子发光效率下降 。 线衍射分析得 出,srsiOJ∶ 生 了
)+结
EuJ+Ⅱ
结构相变,sr,sio4∶ 构未变但晶格参效发生 了变化 , 且主衍射峰强度发生 了反转 。分
析表明,发光特性的变化是压致晶场 、库仑及 自旋-轨道相互作用的变化 引起的。
关】词 硅敌锶掺Eu)+ 高压合成 渚线红移 结构相变
-、 引 曰
压力能有效地改变发光晶体中的原子间距,改变其原子间相互作用,从而使发光谱线红
兰 ,发光强度 强或减弱。 生压致 构 变 ,这些 尤 显。 压
移或 移 增 当发 结 相 时 变化 为明 有时当 力
变化时,还会发生从红移向兰移转变等更复杂的现象。高压发光的 究 为深入 了 发光微
研 将 解
观机 一 效的、灵敏的手段,也 为当 感兴 既 红 又 兰
制提供 种有 将 前 趣的 可解释 移 可适用 移的统
㈠ 丨
一晶 理论 的实 料。迄 压 光的 究工 ,已 工
体场 提供丰富 验资 今高 发 研 作不多 有 作的绝大多数
金 石 压 ,而 压 成
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