第4章像探测器祥解.ppt

4.6.6 CCD的特性参数 1. 转移效率η 由于CCD是一种动态模拟寄存器， 因此不管是不同的电极结构， 还是信号电荷不同的传输通道， 信号电荷的传输效率都是很重要的。 设原有信号电荷为Q0， 转移到下一个电极下的电荷为Q1， 其比值 (4.6 - 8) 称为转移效率。 当信号电荷转移N个电极后的电荷量为QN时， 总效率 ? (4.6 - 9) (1) 转移速度。 CCD势阱中信号电荷的转移过程主要靠载流子的热扩散、 电荷密度沿转移方向的不均匀分布而产生的自感应电场， 以及相邻电极电压在电荷转移方向上产生的边缘场。 (2) 边缘势垒。 当栅极的距离较大时(如大于3 μm)， 在半导体表面会形成势垒。 (3) 电荷俘获。 电荷在转移过程中， 往往会被表面态和体内陷阱所俘获， 使转移效率降低。 2. 工作频率 CCD工作频率的下限主要受暗电流的限制。 为了避免热生少数载流子对注入电荷的影响， 注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间ttra必须小于少数载流子的寿命τ。 对于三相CCD， 转移时间ttra应该为 (4.6 - 10) 为了使电荷有效地转移， 对于三相CCD， 其转移时间ttra应为 (4.6 - 11) 3. 暗电流特性 CCD图像传感器在既无光注入又无电注入的情况下的输出信号称为暗信号。 暗信号是由暗电流引起的。 产生暗电流的根本原因在于半导体的热激发， 主要包括三部分： ① 耗尽区里产生复合中心的热激发； ② 耗尽区边缘少数载流子的热扩散； ③ 界面上产生中心的热激发。 ?其中第一项的贡献是主要的。 所以， 暗电流受温度的强烈影响， 且与光积分时间成正比。 图4.6 - 6 所示是一种CCD图像传感器的暗电流特性。 图 4.6 - 6 CCD的暗电流特性 习题与思考题 1. 什么叫光电成像？有什么特点？ 2. 试述光电二极管阵列、 CCD成像器件、 CID成像器件的工作原理。 3. 试述光导摄像器件的工作原理。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 图 4.4 - 11 离子注入势垒二相CCD 图 4.4 - 12 埋沟CCD的剖面图 图 4.4 - 13 埋沟CCD的能带图 图 4.4 - 14 BCCD的结构图 4.4.3 电荷注入和读出 1. 电荷注入方法 电荷注入方法有电注入和光注入两种， 图像传感器采用光注入， 移位寄存器则采用电注入。 图4.4 - 15(a)所示为背面光注入方法， 如果用透明电极， 也可以用正面光注入方法。光照激发的电子-空穴对， 其少数载流子被收集在势阱中， 而多数载流子迁往硅衬底内。 收集在势阱中的“电荷包”大小与入射信号大小成正比， 使光信号转换为电信号。 图4.4 - 15(b)所示是用输入二极管进行电注入的方法。 图 4.4 - 15 电荷注入方法 (a) 背面光注入； (b) 电注入 2. 电荷读出方法 CCD信号电荷传输到输出端被读出的方法有两种， 如图4.4 - 16(a)、 (b)所示。 图 4.4 - 16 电荷读出方法 (a) 输出二极管电流法; (b) 浮置栅MOS放大器电压法; (c) 输出级原理电路 4.4.4 CCD图像传感器 利用CCD的光电转移和电荷转移功能， 可制成CCD图像传感器。 它有线阵列和面阵列两种结构。 1. CCD线阵列 CCD线阵列传感器的结构如图4.4 - 17所示。 图4.4 - 18是一种2048位两相CCD线阵结构示意图。 图