高压下Al的零温电子结构和物态方程.pdfVIP

第8卷 第4期 高 压 物 理 学 报 v。 1.8,No.犭 19gd年 12月 cHINsE JOtlRNAL OF HIGH PRst1RE PI】 sKΣ Dec.,199犭 高压下 An的 温 子 零 电 结构和物态方程 张春斌 李绍盂 滕亚钢 (北京应用物理与计算效学研究所 ,北京 1000BB) LbITo方 (线 ~Tm轨 扫要 用 法 佳 Muf血 道法),计 算 了金属铝的超高压 电子结构及零温 AI的 10,压 10TPa。 物态方程 。 压缩 比到 力达 根据第一原理计算结果 ,在 面 ,s带 带结构方 总是 处于 δ舔 能以下 ,随着压力的增加,s、p和J的 带宽增加,随后则杂化程度增加 ,所 以s、J轨道 上 的电子 占据效连续变化 。 述变化对压力的影响也是连续的,换 言之 ,从 -J转 变没有理 由说 Al在 HugoⅡ 0.sTPa附 ot的 Al′tshuler的 明 近冲击 现 。 这 斜率的拐弯 象 而 一点则是与 观点不同。 物态方程的第一原理计 表 ,bcc结比fcc结 ,但 算结果 明 构 构要软 因差别不很大 ,即 使发生 fcc一bcc的 ,也 H吨oⅡot的 (拐 Al的⒒仃o物 转变 不会 引起 质的变化 弯)。 态方程还表明,我 们 以前所采用的 经验的 压误差 达30%。 此 ,根 LMTo结 半 冷 可 为 据 果 ,给 出新的冷压表达式 邝 c汾 ε P=∑ =9o/9 7· 32779,t,I=18.7543,c2=10.2097|c。 其 中 :tIO=ˉ =-2.52353,%=-4.7872, cs=6。 3%。 OGs94 拟合误差小于 关钰词 高压 物态方程 电子结构 本文于 I900年5月 3日 收到 。 硅 Ⅲ gh Pressure at T=OK273 第 期 zhang C B,et al:EIectonic siuctures and EOs for AIum.Under ELECTRONIC STRUCTUREs AND EQUATION OF sTATE FOR ALUMINIUM UNDER HIGH PREssURE AT Γ