高压下的Ge和Si的相变.pdfVIP

第1卷 第1期 高 压 物 理 学 报 v ol,Ⅱ No,Ⅱ 1987+9月 CHN EsE.JOuRNALoF HrH PREssURE PHYsEs sept。 ,n987 GeT日 高压下的 si的 相变 金 弼 朱宰万 (延 边大学物理系) 捉要 本文采用质势方法研究 Ⅳ族元素 Ge和si在 压 高 下的共价健一金曰相相变 ,计箅 了状 态方程 、相平衡压 力 、体积跃变量及其金曰相的超导临界温度 。结果表明,理论与实验符合 都 比 较好 。 关眨词 锗和硅 ;质势理论 ;高压相变 ;超导 电性 。 -、 引 言 近来一些萆要的固体材料的高压状态方程 、 理论 相变 与实验研究 日益受 人 。 到 们的关注 尤其是高压X射线 、 压 Ra m an光 高 谱 、 压 高 超 等技术 展,使 声 的新发 压力的标定 、 压 外 力 对固体电子结构的影响更加明显地揭示出来。所以从理论上计算高压下固体的状态方程除了 有理论本身的意义外,也可以用来分析不同方 得 。 法 到的实验 据的 数 可靠性 l1^钊 ⒓ 用 I选 采 赝势方法计 简 金属 算 单 的状态方程已经有不少文章 。 Ashcroft 李 山 人 树 等 取 提出的简化H。 ne-Abaren kov势 尸 (/)=(L2z// 凵 怎