第7章-外延祥解.ppt

3 衬底材料的选择 为了得到优良的外延层，绝缘衬底的质量是非常重要的。目前获得蓝宝石晶体的方法主要有三种：焰熔法、切克劳斯基法和边缘限定馈给法，前两种方法得到的是球状蓝宝石晶体，切片抛光后作为衬底材料，第三种方法得到的是薄巨型带状蓝宝石晶体，切片后再进行抛光。 4 缺陷与改进 刚生成的SOS膜中的主要缺陷是蓝宝石衬底中的Al外扩散和自掺杂、堆积层错、微孪晶等。这些缺陷可使界面附近的电阻率，载流子的迁移率和寿命降低。为了减少SOS膜中的缺陷密度和应力，已经发展了多种改进技术，主要有采用激光脉冲使硅层熔融再结晶；固相外延；再生长（SPEAR）；双固相外延技术（DSPE）等。 八 分子束外延 1 概念 分子束外延（MBE:Molecular Beam Epitaxy)是一种在超高真空下的蒸发技术。它是利用蒸发源提供的定向分子束或原子束，撞击到清洁的衬底表面上生成外延层的工艺过程。分子束外延工艺目前已广泛用于元素半导体、Ⅲ–Ⅴ、Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体及有关合金、多种金属和氧化物的单晶生长。 2 衬底处理 ①采用高温热处理去除衬底表面的SiO2。在1200℃的高温下SiO2与Si发生反应生成可挥发的SiO。 ②用Ar+溅射，再退火。在这种办法中因溅射引起衬底表面的损伤，虽然经过退火，但也难达到外延生长对衬底表面的要求。 ③利用脉冲激光反复辐