低电场应力下闪速存储器退化特性.pdfVIP

第 26 卷 　第 12 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 12 2005 年 12 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Dec . ,2005 低电场应力下闪速存储器的退化特性 郑雪峰 　郝 　跃 　刘红侠 　马晓华 ( 西安电子科技大学微电子学院 , 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 , 西安 　7 1007 1) 摘要 : 基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元 ,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制 , 同时采用新的实 验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量. 并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠 性进行了研究 ,结果表明 ,在低电场应力下 ,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起. 关键词 : 闪速存储器 ; 应力诱生漏电流 ; 低电场应力 ; 电容耦合效应 PACC : 7300 ; 7200J 　　　EEACC : 2810D 中图分类号 : TN406 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 陷阱. 经过多次擦写后 ,热载流子注入引起的氧化层 1 　引言 破坏将会非常严重. 这将产生氧化层应力诱生漏电 ( ) [ 5 ] , 导致 流 st re ss induced leakage cur rent , SIL C ( ) 存储单元的特性退化. 闪速 存 储 器 fla sh memory , 闪存 是 基 于 EPROM , EEPROM 发展起来的一种新型非挥发性 本文研究了形成 SIL C 的三种导电机制 , 并采 半导体存储器. 它具有价格便宜 、工艺相对简单 、可 用新的实验方法确定了引起 SIL C 中稳态电流和瞬 方便快速地进行多次擦写的特点 , 自问世以来 ,闪存 态电流的电压漂移量 ,进而利用电容耦合效应研究 ( ) 在存储领域得到了广泛应用 ,在嵌入式系统中更是 了低电场应力 读应力 下引起闪存特性退化的主要 不可缺少的[ 1～3 ] . 因素. 随着闪存使用的越来越多 ,其可靠性问题也就 越来越重要. 闪存的可靠性主要包括两个方面 :一方 2 　器件结构和参数 面是器件的耐久性问题 ,指经过多次擦写后器件不 会失效 ;另一方面是器件的保持性问题 ,是指存储在 本研究采用的存储单元结构如图 1 所示 ,长 L μ μ 浮栅上的电荷保持有效而不泄漏的能力. 随着闪存 = 32 m , 宽 W = 3 m . 隧道 氧化层 厚度 Tox = ( ) 单元特征尺寸越来越小 ,在擦写