场效应管保护及驱动.docVIP

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场效应管保护及驱动

驱动小结 目 录 一、 栅极 1 (一) 栅极电压 1 (二) 栅极与源极电容 1 二、 漏极 1 三、 2 管子特性及驱动 场响应管特性 增强型绝缘栅场效应管以IRF4905为例,图1所示。 图1 IRF4905的转移特性如图2、漏极特性如图3 图2 图 3 转移特性表明,当-值小于开启电压(Vt)时,Id=0;当存在,-值大于开启电压时,Id才有输出;漏极特性表明,当-大于开启电压VT后,每一个-,对应一个Id。当-小于Vt, 过大,将击穿管子,Id会很大,并损坏。 随着增加,Id开始一段线性增加,在该阶段,管子通态压降较大。当=-Vt -,进入临界饱和,在-不变情况下,即使继续增加,Id也基本不变,处于饱和状态。 MOS管饱和导通时,通态电阻很小,上图中是外加短时测试电压脉冲。如果测试电源负载能力不够,饱和时,维持不了。 饱和后,继续增加,电流Id不会有太大变化,但通态电阻会增大。 栅极 栅极电压 VGS小于Vt,管子关断;大于Vt开始导通,每一个VGS,对应一条电流曲线,都包含线性段和饱和段,取决于VSD。 VGS大于最大容许值,就会栅极击穿(一般不能超过20V),避免击穿,设计栅极电路时,要控制该压差。当可能存在瞬时高压时,可以用瞬态保护二极管限压。 栅极与源极电容 栅极与源极之间有电容,如果是脉冲驱动,为了提高工作速度,可采用推挽驱动。关断时电容快速放电。 漏极 漏源极电流大,开关快。内部已经考虑反向电压保护二极管。正向电压和正向电流不能超过推荐值,当管子关断时,过大正向电压,可以击穿漏极,可以考虑瞬态二极管保护。此外,对于电感和电容负载,还是要进一步考虑,限制电流及电压的变化率。 第二级编号,如果出现不能重编号,而是接前面续编,可以重编号。鼠标点击选择二级编号,右键进入重新编号,它会从前一级的二级编号续编。 如果重编后,又恢复,则进入“样式和格式”选中该级目录后,右键进入“修改”,然后取消“自动更新”,退出后,则可以重新编号。 第三级编号,也是不能自己重编,而是接着前面编,点级编号、右键进入重编即可。 4

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