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2008年12月 综述：常用的电路元件 R ( Q [RO]) O 平面电极的有限层扩散 G= Gerischer impedance 一般用于测量过程中在本体溶液中发生了化学反应. 有时也可应用于多孔电极中. 在实部-虚部Nyquist图中,非常近似于“O” 还有一种扩散: G 对于这个曲线 可以使用 也可以 使用 还可以使用 那么,该如何去选择呢? 腐蚀 - (RC) 燃料电池 - O, 表示通过膜的慢速扩散 如果发生反应 - G WT= 混合型扩散: gas (air) diffusion 对于T型扩散,经常会与W同时存在. 常用元件: 感抗 L (1) 非屏蔽线引起的感抗； (2) 因不可逆过程引起的感抗； — 相位角：-900 — 通常出现在最高频位置。 — 通常出现在中、低频区。 — 在Nyquist图中出现绕圈的形状。 L = LR(RC) R(Q[RL(RQ)]) R(Q[RL]) Z = j ω L 感抗 LRQ 出现在最高频区的L —非屏蔽线引起的感抗 出现在中段的感抗，通常来自于: 表面物质发生反应 表面发生化学修饰 甲醇燃料电池 – Pt电极 R(Q[RL]) 末端感抗通常来自于： 表面反应物的吸附 末端的感抗 ? Description 符号 参数 阻抗 导纳 阻抗元件 R R Z = R Y = 1/R 容抗元件 C C Z = -j/(ωC) Y = j ω C 感抗元件 L L Z = j ω L Y = -j/(ω L) 常相元件 Q Q and n Z = Q-1jω-n Y = Q*jωn Warburg阻抗 W W Z = W *jω1/2 Y = W *(jω)1/2 双曲余切元件 T T and t Z=T*(jω)1/2*Coth[t*(jω)1/2] Y=1/T*(jω)1/2*Tanh[t*(jω)1/2] 双曲正切元件 O O and o Z=O*(jω)1/2*Tanh[t*(jω)1/2] Y=1/O*(jω)1/2*Coth[t*(jω)1/2] Gerischer元件 G G and g Z = G* (g +jω) 1/2 Y = 1/G* (g +jω)1/2 首先,需要对测量体系及所涉及的反应有一定的理解; 通过看图大致了解有哪些元件,同时也选择合适的等效电路; 通过设置Fitted Range,选择所考虑的范围，然后再通过Calc StartValue得到各个元件的初始值。必要时可以使用菜单中Subtract as parallel components / Subtract as series compoents扣除一些元件； 适当删除一些使X2变差的数据点,即明显有偏差的数据点. 尽可能使用(RQ)代替(RC)进行拟合; 如果存在T扩散时,先使用W来进行拟合; 电阻的初始值应选用真实的数值。 拟合步骤的一些有益建议: 最后，给大家一个忠告： 交流阻抗进行模拟与拟合的目的，不是为了拟合而拟合， 而是为了解释各自的实际体系内部的各种状态！ 拟合得到了等效电路后,真正的工作才刚刚开始! 荷兰IVIUM电化学仪器中国总代理 天津公司： 广州联络处： 天津市 大沽南路 恒华大厦2-1802房电话：022-5819 6933?? 电话：020 - 8901 7093 传真：022-5819 6977???? 手机：135 0302 4342 Email: china.sales@ivium.eu Email:? btzeng@163.com ?在线技术支持QQ：139170757 个人QQ: 499951046?????中文网站： 谢谢大家! Ivium交流阻抗