第2 3 章学习重点详解.pptVIP

4 位错密度 表示方法：ρ＝K/V； ρ＝n/A 晶体强度与位错密度的关系。 位错观察：浸蚀法、电境法。 5 位错的运动 1）位错的易动性。 2）位错运动的方式 a 滑移：位错沿着滑移面的移动。 刃型位错的滑移：具有唯一的滑移面 螺型位错的滑移：具有多个滑移面。 位错环的滑移：注重柏氏矢量的应用。 b 攀移：刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 机制：原子面下端原子的扩散――位错随半原子面的上下移动而上下运动。 分类：正攀移（原子面上移、空位加入）/负攀移（原子面下移、原子加入）。 ? 应力的作用：压应力有利于正攀移，拉应力有利于负攀移。 3）作用在位错上的力（单位距离上） 滑移：f=τb； 攀移：f=σb。 6 位错的应变能与线张力 单位长度位错的应变能：W=αGb2。 （α＝0.5~1.0, 螺位错取下限，刃位错取上限。） 位错是不平衡的缺陷。 （商增不能抵销应变能的增加。） 位错的线张力：T=αGb2。 保持位错弯曲所需的切应力：τ＝Gb/2r。 7 位错的应力场及其与其它缺陷的作用 1）应力场 螺位错：τ＝Gb/2πr。（只有切应力分量。） 刃位错：表达式（式1－9） 晶体中：滑移面以上受压应力，滑移面以下受拉应力。 滑移面：只有切应力。 2）位错与位错的交互作用 f=τb ，f=－σb （刃位错）。 同号相互排斥，异号相互吸引。（达到能量最低状态。） 3）位错与溶质原子的相互作用 间隙原子聚集于位错中心，使体系处于低能态。 柯氏气团：溶质原子在位错线附近偏聚的现象。 4）位错与空位的交互作用 导致位错攀移。 8 位错的增殖、塞积与交割 1）位错的增殖：F-R源。 2）位错的塞积 分布：逐步分散。 位错受力：切应力作用在位错上的力、位错间的排斥力、障碍物的阻力。 3）位错的交割 位错交割后结果：按照对方位错柏氏矢量（变化方向和大小）。 割阶：位错交割后的台阶不位于它原来的滑移面上。 扭折：――――――――位于―――――――――。 对性能影响：增加位错长度，产生固定割阶。 9 位错反应 1）位错反应：位错的分解与合并。 2）反应条件 几何条件：∑b前=∑b后；反应前后位错的柏氏矢量之和相等。 能量条件：∑b2前∑b2后; 反应后位错的总能量小于反应前位错的总能量。 10 实际晶体中的位错 1）全位错：通常把柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为全位错或单位位错。 2）不全位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错。 3）肖克莱和弗兰克不全位错。 肖克莱不全位错的形成：原子运动导致局部错排，错排区与完整晶格区的边界线即为肖克莱不全位错。（结合位错反应理解。可为刃型、螺型或混合型位错。） 弗兰克不全位错的形成：在完整晶体中局部抽出或插入一层原子所形成。（只能攀移，不能滑移。） 4）堆垛层错与扩展位错 堆垛层错：晶体中原子堆垛次序中出现的层状错排。 扩展位错：一对不全位错及中间夹的层错称之。 三、 面缺陷 ? 面缺陷主要包括晶界、相界和表面，它们对材料的力学和物理化学性能具有重要影响。 1 晶界 1）晶界：两个空间位向不同的相邻晶粒之间的界面。 2）分类 大角度晶界：晶粒位向差大于10度的晶界。其结构为几个原子范围 内的原子的混乱排列，可视为一个过渡区。 小角度晶界：晶粒位向差小于10度的晶界。其结构为位错列，又分 为对称倾侧晶界和扭转晶界。 亚晶界：位向差小于1度的亚晶粒之间的边界。为位错结构。 孪晶界：两块相邻孪晶的共晶面。分为共格孪晶界和非共格孪晶界。 2 相界 1）相界：相邻两个相之间的界面。 2）分类：共格、半共格和非共格相界。 3 表面 1）表面吸附：外来原子或气体分子在表面上富集的现象。 2）分类 物理吸附：由分子键力引起，无选择性，吸附热小，结合力小。 化学吸附：由化学键力引起，有选择性，吸附热大，结合力大。 4 界面特性 界面能会引起界面吸附。 界面上原子扩散速度较快。 对位错运动有阻碍作用。 易被氧化和腐蚀。 原子的混乱排列利于固态相变的形核。 2 固体结构 一 晶体学基础 1 空间点阵与晶体结构 空间点阵：由几何点做周期性的规则排列所形成的三维阵列。