工程部教育训练.ppt

* * BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 工程内部教育训练资料 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 一 四元晶片的各種不同制成的比較(AS、TS、OMA、MB)﹐主要是針對亮度做一 些分析和比較以及在壽命和散熱方面﹕ 1)? AS GaAs：吸光基板 2)? TS GaP: 透明基板 3)? MB metal金屬反射層+Si sub ﹕Good thermal dissipation 4)? OMA ITO透明導電膜 Al mirror：金屬反射層 四元晶片制成的对比 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 傳統-AS MB HP-TS OMA BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 四種制成的各項參數的比較 B510,B310 WBCRO35S-B01 良品率不高 One wire bonding：良品率高、製造週期較短、線材成本較少 良率 SAHR814/E11 012UOR 我司使用晶片 製程複雜，life不高 life 高﹐適合交通號誌 life 高 壽命 雙線 ESD不好 單線： ESD好 抗ESD Al mirror：金屬反射層 GaP透明基板：可提昇亮度 Metal mirror： 紅黃光反射率達90%以上 GaAs：吸光基板為傳統亮度 發光效率 透明絕緣層、缺點會蓄熱 Si： 1.68 Wcm-1K-1 散熱能力佳 GaAs： 0.47 Wcm-1K- 導熱 OMA HP-TS MB AS BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 製程比較 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 發光效率(Luminous Efficiency)發展計劃 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 化合物半導體 300 400 500 600 700 800 nm GaP GaAs1-XPX AlXGa1-XAs (AlXGa1-X)0.5In0.5P GaXIn1-XN AlXGa1-XAs GaAs Ga0.5In0.5P Al0.5In0.5P GaN InN 3.4 eV 1.94 eV 2.28 eV 1.91 eV BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 光電轉換效率與視覺感受度 目前 LEDs 光電轉換效率恰好與人眼感受度呈現相反之趨勢 In 增加 Al 增加 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 所有波長之可見光皆可表示成 CIE 色座標 x , y 一般白熾燈之色溫約為 2850 K 日光之色溫約為 6500 K 白光 LEDs 之色溫落於上述二者之間 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 二??? ITO與非ITO壽命之比較、製成之比較、亮度之比較、電性之比較 非ITO: TCL層為NI/AU ITO: TCL層為Indium Tin Oxide ITO與非ITO BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 藍光晶粒之結構 因 Sapphire 為絕緣基板 = PN 同面之水平結構 高效率之 InGaN / GaN 多重量子井夾於 p-GaN 與 n-GaN 之間 透明電極 ( Ni / Au 或 ITO )為電流均勻散佈之用 n- GaN Sapphire P N P - GaN 量子井 發光層 透明電極 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD ITO 產品特質 ITO direct contact : 無須特殊 P-GaN 磊晶結構 ( 表面反轉摻雜 ? n ) ITO 最佳化製程設計 : Vf 與 Ni / Au 產品無差異 , 故焦耳熱功率之生成亦無差異 綜合以上因素 ITO 晶粒之壽命 (穩定度) 與 Ni / Au 並無差別 BRIGHTEK OPTOELECTRONICS CO ., LTD 覆晶製程 覆晶製程 ( flip chip ) : 將 LED 之主發熱源 – p-i-n 磊晶薄膜 , 貼附於優良之散熱基板 , 以降低溫度 BRIGHTEK OPTO