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ZnO文献综述 ZnO作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,近年来受到了研究者的广泛关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。ZnO具有高达60meV的激子束缚能且激子在室温下可以稳定存在,因此,ZnO是制备室温紫外激光二极管(LDs)的理想材料。除此之外,ZnO还具有优良的压电、气敏、压敏等特性,而且原材料廉价丰富、无毒、化学稳定性及热稳定性好、抗辐射性强。因此,ZnO的诸多方面成为了研究的热点。其中,薄膜为ZnO的主要形态结构,具有重要的研究意义和应用价值。随着薄膜制备技术的发展和完善,几乎所有制备方法都可以用于ZnO薄膜的制备ZnO 的基础研究和器件研制领域已取得了众多突破性的进展，大量围绕ZnO薄膜的物理性质展开的研结果已表明, ZnO薄膜的光学、电学参数对外界环的改变比较敏感,例如外界压力、温度、外加电场改变往往会导致ZnO薄膜光学吸收边的移动。许多国内外学者也从不同角度研究了ZnO材料，主要可以归纳为，从制备工艺和功能特性两大方面进行研究。ZnO薄膜研究的重点之一是高质量ZnO薄膜的制备问题，高质量ZnO薄膜与它的工艺参数有着密切的联系，包括制备的方法、不同过渡层的选择、基片的温度、基片的不同选择、基片与靶材的距离、实验过程中的压强等参数。 浙江大学汪雷做了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展的分析，指出制备ZnO薄膜的不同方法及