测控电路复习提纲20121226解读.doc

第三章 半导体二极管及基本电路 3.1 半导体的基本知识 半导体材料 本征半导体和杂志半导体 3.2 PN结的形成及特性 PN结的形成 漂移运动扩散运动空间电荷区漂移扩散运动 PN结的特性 单向导电性正向偏置内电场减弱，扩散加强，扩散(飘移，正向电流大，空间电荷区变薄；反向偏置，内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小，空间电荷区变厚。PN 结的电容效应：扩散电容CD和势垒电容CB。二极管 半导体二极管的结构 半导体二极管的结构：在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。(1) 点接触型二极管：PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2) 面接触型二极管：PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(3) 平面型二极管：往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 二极管的参数 最大整流电流 IF反向击穿电压VBR反向电流 IR二极管的极间电容（parasitic capacitance）微变电阻 rd: rd 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比双极型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管（BJT—双结晶体管） 基本结构三极管的基本接法BJT的电流分配和放大原理 BJT的特性曲线4.1.4 主要参数 电流放大系数(极间反向电ICBO，ICEO 极限参数：1. 集电极最大允许电流 ICM2. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO3. 集电极最大允许耗散功耗PCM. 2 放大电路的基本知识 4.2 共射极放大电路 电路组成简化电路及习惯画法放大工作原理放大电路的静态和动态直流通路和交流通路放大电路的组成条件4.3 放大电路分析方法 图解分析法.动态工作情况分析BJT的三个工作区.工作点不合适引起vo的失真，饱和失真小信号模型分析法 BJT的小信号建模.用H参数小信号模型分析 共射极基本放大电路,画出小信号等效电路4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 温度对工作点的影响放大电路指标分析①静态工作点②电压增益③输入电阻固定偏流电路与射极偏置电路的比较 第5章 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 N沟道增强型MOSFET 工作原理（N沟道增强型） V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程： ① 截止区；② 可变电阻区；③ 饱和区 MOSFET的主要参数直流参数① 开启电压VGS(th) (或VT)② 夹断电压VGS(off) (或VP)③ 饱和漏极电流IDSS ④ 输入电阻RGS交流参数低频跨导gm 5.2 MOSFET放大电路 放大电路小信号模型分析 第八章 功率放大电路 3.1功率放大电路的特点及分类 功放电路的特点功率放大电路的分类3.2 乙类互补对称功放电路 乙类互补对称功放电路结构互补对称功放电路工作原理输出功率及效率的分析计算 功率管的选择最大管耗与输出功率的关系互补对称功放电路晶体管参数的选择甲乙类互补对称电路单电源互补对称电路 模拟集成电路 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 BJT电流源电路ET电流源6.2 差分式放大电路 差分式放大电路一般结构 差分式放大电路的传输特性 集成电路运算放大器 实际集成运算放大器的主要参数 1 .输入失调电压VIO： 2.输入偏置电流IIB： 3.输入失调电流 IIO ： 4. 温度漂移 输入失调电压温漂 ： 输入失调电流温漂： 5.开环差模电压增益 AVO和带宽BW ： 6.差模输入电阻rid和输出电阻ro 7.最大差模输入电压Vidmax 8.共模抑制比 KCMR ：KCMR=20lg(Avd / Avc ) (dB) 9.最大共模输入电压Vicmax 10.转换速率SR 闭环状态时： 第七章 反馈放大电路 基本要求 1.了解反馈的基本概念 2.掌握反馈放大电路中反馈极性和反馈组态的判断 3.掌握各种组态的负反馈对放大电路输入电阻、输出电阻、增益，和其它性能的影响 4.掌握深度负反馈条件下“虚短”和“虚断”的概念，并利用这两个概念近似计算电压串联负反馈放大电路的闭环电压增益 5.了解负反馈放大电路产生自激振荡的原因、条件，以及判断反馈放大电路稳定性的方法 7.1反馈的基本概念与分类 反馈的基本概念1.反馈定义四层含义与相关判断反馈举例开环与闭环直流反馈交流反馈 四种类型的反馈组态 电压串联电压并联电流串联电流并联 7.2 负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式 负反馈放大电路的方框图 构成信号的单向化传输负反馈放大电路增益的一般表达式表达式推导 反馈深度的讨论 7.3 负反馈对放大电路性能的改善 提高增益的稳定性减