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第四章 晶体的缺陷 4．1? 晶体缺陷的基本类型 ⅰ F心 4.2位错缺陷的性质 4．3? 热缺陷的统计理论 4．4? 缺陷的扩散 4．5?离子晶体的热缺陷在外场中的迁移 当τ1》τ2时，即空位从一个格点跳到相邻格点所需等待的时间比填隙原子从—个间隙位经跳到相邻间隙位置所需等待的时间长得多时，可以近似把空位看作相对静止．由类似的分析可得 ??? ??? 其中 ? 其中 从统计角度看，温度—定，晶体内热缺陷的数目一定，那么，热缺陷的数目nl和n2又与哪些因素有关呢? 4.3.2? 热缺陷的数目 ??? 热缺陷数目与晶体的原子数日相比是一个很小的数，但其绝对数目也是很大的．对于讨论数目巨大的热力学系统，热力学统计方法是一个简洁明了的方法． ??? 热力学系统的自由能为 F=U-TS，??? 其中U为晶体内能，S代表熵．当系统达到平衡时，其自由能为最小． 即可求出热缺陷的数目 1．弗仑克尔缺陷数目 ??? 设晶体由N个原子所构成，晶体有N个间隙位置，缺陷对的数目为n，每形成一对填隙原子和空位所需要的能量为u， ?? 晶体的自由能为： 其中熵的增量： W是微观状态数 W0是晶格振动微观状态数目， W1是热缺陷引起的院子排列微观状态数 从N个院子中取出n个原子形成n个空位的可能方式数目 这n个原子排列在N‘个间隙位置上形成间隙院子的方式数目为 有缺陷后晶格的微观状态数目为 熵的改变量： 由4.15、4.9、4.8得 利用斯特令公式 2．空位和填隙原子的数目 ??? 设晶体中空位和填隙原子的数目分别为nl和n2，形成一个空位和一个填隙原子所需能量分别为u1和u2。 由自由能取极小值的条件得 取近似值 因为u2通常大于u1，所以在常温，空位数比填隙原子数目大得多．分别得到 4.4.1? 扩散方程 扩散的连续性方程： D是粒子浓度的函数，我们只讨论D是常数的扩散现象．对于简单的—维扩散，上式化成 上式微分方程的定解形式取决边界条件的具体形．常采用的扩散条件两类 扩散离子流密度： 1．在单位面积上有Q个粒子欲向晶体内部单方向扩散，边界条件为 t=0，x=0,C0=Q t=0,x﹥0，C(x)=0 解为 2．扩散粒子在晶体表面为维持一个不变的浓度C0，边界条件为 t≧0，x=0,C=C0 t=0,x﹥0，C=0 在此条件下,解为 扩散分布 4.4.2? 扩散系数 通过菲克第一定律 菲克第二定律 得出 硅中某些杂质原子的扩散系数~温度关系 4.4.3? 扩散的微观机构 晶体中粒子的扩散有三种方式 （1）粒子以填隙原子的形式进行扩散； （2）粒子借助于空位进行扩散； （3）这两种方式都同时发生．我们只讨论前两种简单扩散方式． 1．空位机构 ??? 对于一个借助空位进计扩散的正常格点上的原子，只有当它相邻的格点是空位时它才可能跳跃一步，得到原子通过空位进行扩散的扩散系数． 从上式可以看出，当温度很低时，扩散系数很小，温度很高时，扩散系数较大．这是合理的。因为温度很低时，原子的振动能小，难以获得足够的能量跳过势垒E1；温度很高时，晶格的振动能大，原子容易获得足够的能量跳过势垒进行扩散。 2．填隙原子机构 如图所示的一个被认定的原子的扩散情况．该原子在A格点等待了τ时间才跳到间隙—位置变成填隙原子，然后从一个间隙跳到另一个间隙位置．当它落入与空位相邻的间隙位置时，立即与空位复合，进入正常格点． 填隙原子的扩散 得到填隙原子的打散系数 前边我们曾分析过，一般u2＞ul，在势垒高度E1＝E2的情况，可知，空位的扩散系数比填隙原子的扩散系数要大 两式可统一表示成为 其中N。是阿伏加德罗常数，R是摩尔气体常数，N0ε称作激活能． 尽管理论与实验有较大偏差，但以上理论分析对了解缺陷的扩散规律还是具有一定的指导意义． ?三、杂质原子的扩散 ??? 研究杂质原子的扩散更有实际意义，因为人们常采用掺杂杂质原子的手段来达到实现材料改性的目的． ??? 填隙杂质原子的扩散系数 设E≈E2，vo＝vo2，可得 N》n2，所以我们得出：杂质填隙原子的扩散系数比晶体填隙原子的扩散系数要大得多．表列出了一些杂质原子在γ—Fe中的扩散系数，表中最后一列是γ—Fe的自扩散系数，实验温度为1000 ℃．由表中数据可以看小，杂质原子的扩散系数比自扩散系数大几个数量级． * * 晶体缺陷按几何形态分，有点缺陷、线缺陷和面缺陷 4.1.1? 点缺陷 ( 1)．弗仑克尔(Frenkel)缺陷??? 正常格点上的原子，无时无刻不在作围绕平衡点的振动．由于存在热振动的涨落