固体与半导体物理教学大纲.docVIP

《固体与半导体物理》课程教学大纲 【课程编号】 【课程类别】 专业核心课 【学分数】 4 【适用专业】 电子科学与技术 【学时数】 64 【编写日期】 2013年10月 一、课程教学目标 本课程系统讲述半导体物理的基础理论、概念和方法及其应用，内容主要涵盖了与硅集成电路技术相关的半导体材料和器件物理基础及其应用，包括：半导体的基本性质、平衡态半导体的物理基础、非平衡半导体中载流子的运动规律、半导体pn结、金属/半导体接触与异质结、半导体MIS结构、半导体的光学性质及霍耳效应等。(1)半导体中的电子运动、有效质量；(2)半导体中的杂质类型及形成；(3)状态密度的概念，费米能级和载流子的统计分布；(4)电导率与迁移率的关系；(5)非平衡载流子的产生、复合及动态过程；(6)pn结理论；(7)金属半导体接触及其能级图；(8)表面态及表面电场效应；(9)半导体异质结的概念；(10)霍耳效应的概念。(1)半导体中的杂质能级； ()迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其杂质浓度和温度的关系；()准费米能级，复合理论，载流子的扩散运动及爱因斯坦关系，连续性方程； ()金属半导体接触整流理论； ()半导体异质pn结能带图及电流电压特性；()pn结的光生伏特效应及半导体霍耳效应。pn结MIS 8 9 半导体异质结构 8 10 半导体的光学性质 4 11 热电性质 4 12 磁和压阻效应 4 13 非晶态半导体 2 14 总结与复习 2 合计 64 0 四、课程内容安排 （一）半导体中的电子状态 主要内容： 1. 半导体的晶格结构和结合性质 2. 半导体中的电子状态和能带 3. 半导体中电子的运动4. 本征半导体的导电机构 5. 回旋共振 6. 硅和锗的能带结构 7. III-V族化合物半导体的能带结构 8. II-VI族化合物半导体的能带结构 9. Si1-xGex合金的能带 10. 宽禁带半导体材料1. 硅、锗晶体中的杂质能级 2. III-V族化合物中的杂质能级 3. 氮化镓、氮化铝、氮化硅中的杂质能级 4. 缺陷、位错能级1. 状态密度 2. 费米能级和载流子的统计分布 3. 本征半导体的载流子浓度 4. 杂质半导体的载流子浓度 5. 一般情况下的载流子统计分布 6. 简并半导体 7. 电子占据杂质能级的概率1. 载流子的漂移运动和迁移率 2. 载流子的散射 3. 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 5. 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论 6. 强电场下的效应、热载流子 7. 多能谷散射、耿氏效应1. 非平衡载流子的注入与复合 2. 非平衡载流子的寿命 3. 准费米能级 4. 复合理论 5. 陷阱效应 6. 载流子的扩散运动 7. 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 8. 连续性方程式 9. 硅的少数载流子寿命与扩散长度1. pn结及其能带图 2. pn结电流电压特性 3. pn结电容 4. pn结击穿 5. pn结隧道效应pn结的物理特性以及能带图，掌握pn结接触电势差的计算，理解pn结的电流电压pn结电容的意义和计算，了解pn结的击穿机制和隧道效应pn结接触电势差、载流子分布、电流电压特性、结电容、击穿机制、隧道效应1. 金属半导体接触及其能级图 2. 金属半导体接触整流理论 3. 少数载流子的注入和欧姆接触MIS 主要内容： 1. 表面态 2. 表面电场效应 3. MIS结构的电容—电压特性 4. 硅—二氧化硅系统的性质 5. 表面电导及迁移率 6. 表面电导对pn结特性的影响MIS结构的表面电场效应、电容电压特性有深刻理解，对实际MIS结构中出现的各种情况进行分析，并与理想C-V特性相比较，从而明确如何用C-V法来了解半导体的表面状况，进而对使用最多的Si-SiO2系统的性质有详细的了解。MIS结构的电容一电压特性1. 半导体异质结及其能带图 2. 半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性 3. 半导体异质节量子阱结构及其电子能态与特性 4. 半导体应变异质结构 5. GaN基半导体异质结构 6. 半导体超晶格1. 半导体的光学常数 2. 半导体的光吸收 3. 半导体的光电导 4. 半导体的光生伏特效应 5. 半导体发光 6. 半导体激光 7. 半导体异质结在光电子器件中的应用1. 热电效应的一般描述 2. 半导体的温差电动势率 3. 半导体的珀尔帖效应 4. 半导体的汤姆逊效应 5. 半导体的热导率 6. 半导体热电效应的应用1. 霍耳效应 2. 磁阻效应 3. 磁光效应 4. 量子化霍耳效应 5. 热磁效应 6. 光磁电效应 7. 压阻效应1. 非晶半导体的结构 2. 非晶半导体中