第12章霍尔传感器详解.ppt

电子受洛仑兹力fL的作用，大小为 fL=eBv 式中：e—电子电荷； v—电子运动平均速度； B—磁场的磁感应强度。 霍尔电场的电场强度为： 　　电子除了受洛仑兹力作用外，还受到霍尔电场的作用力，其大小为 fH=eEH 4、霍尔高斯计（特斯拉计）的使用 霍尔元件 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 霍耳计数装置电路图 磁铁 * * * 第7章 磁电式传感器 * 第7章 磁电式传感器 第十二章 霍尔式传感器 霍尔传感器：基于霍尔效应的一种传感器。 霍尔效应：1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应。 霍尔传感器应用：广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 一、霍尔效应及霍尔元件 1.霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，该电势称霍尔电势。 霍尔效应 霍尔效应原理 电子所受洛仑兹力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反时, 即 eEH=eBv EH=Bv 此时电荷不再向两侧面积累，达到平衡状态。 若金属导电板单位体积内电子数为n，电子定向运动平均速度为v，则激励电流I=nevbd，则 可得 令RH=1/ne为霍尔系数，则 ＊霍尔片的灵敏度KH？ 和那些量有关（ｄ、ＲＨ）？ 如何提高灵敏度？ 霍尔片材料的要求：希望有较大的霍尔系数RH。 霍尔元件激励极间电阻： 电子迁移率： 霍尔系数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率的乘积。若要霍尔效应强，则RH值大，因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。→只有半导体材料适于制造霍尔片 常用的霍尔元件材料：锗、硅、砷化銦等半导体材料。 2.霍尔元件基本结构 霍尔元件结构很简单，由霍尔片、引线和壳体组成。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四根引线。 1、1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极； 2、2′两根引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 (a) 外形结构示意图 (b) 图形符号 霍耳元件 霍耳元件的基本检测电路 3. 霍尔元件基本特性 （1） 额定激励电流和最大允许激励电流 额定激励电流：当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 最大允许激励电流：以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。 （2）输入电阻和输出电阻 输入电阻：激励电极间的电阻值称为输入电阻。 输出电阻：输出电势（霍尔电势）对外电路来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻。 以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在20℃±5℃时确定的。 （3）不等位电势和不等位电阻→霍尔元件不等位电势补偿。 不等位电势：当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。产生这一现象的原因有: ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； ② 半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀； ③ 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 不等位电势也可用不等位电阻表示： （4）寄生直流电势 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。其产生的原因有： ① 激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触，造成整流效果； ② 两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同，散热状态不同形成极间温差电势。 （5） 霍尔电势温度系数→霍尔元件的温度补偿 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称霍尔电势温度系数。它同时也是霍尔系数的温度系数。 4. 霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。 不等位电势示意图 霍耳元件的等效电路 不等位电势补偿电路 5.霍尔元件温度补偿 霍尔元件是采