第八九十讲晶硅电池制备工艺(刻蚀去磷硅PECVD丝印烧结).pptVIP

等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。（这是各向同性反应） 这种腐蚀方法也叫做干法该蚀。 什么是等离子体？ 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中的电子因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电子，原子失去电子变成带正电的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混合物 。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第四态。 等离子体的应用 等离子体的产生 等离子体刻蚀反应 等离子体刻蚀工艺 装片 　在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 工艺参数设置 边缘刻蚀控制 短路形成途径 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 控制方法 对于不同规格的硅片，应适当的调整辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。 刻蚀工艺不当的影响 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 怎么去除磷硅玻璃？ 氢氟酸是无色透明的液体，具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性。但氢氟酸具有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅，因此不能装在玻璃瓶中。 在半导体生产清洗和腐蚀工艺中，主要就利用氢氟酸的这一特性来去除硅片表面的二氧化硅层。 去除磷硅玻璃工艺 清洗液配制 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。 1号槽中注入一半深度的去离子水，加入氢氟酸，再注入去离子水至溢流口下边缘。 （HF:H2O=1:6体积比） 向后面的槽中注满去离子水。 装片 经等离子刻蚀过的硅片，检验合格后插入承片盒。 注意，经过磷扩散处理的表面，刻蚀之后硅片在插入承片盒时也严格规定了放置方向。每盒25片，扣好压条，投入清洗设备。 注意事项 在配制氢氟酸溶液时，要穿好防护服，戴好防护手套和防毒面具。 不得用手直接接触硅片和承载盒。 当硅片在1号槽氢氟酸溶液中时，不得打开设备照明，防止硅片被染色。 硅片在两个槽中的停留时间不得超过设定时间，防止硅片被氧化。 检验标准 当硅片从1号槽氢氟酸中提起时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。 甩干后，抽取两片硅片，在灯光下目测：表面干燥，无水迹及其它污点。 8.3镀减反射膜 PECVD种类 直接式—基片位于一个电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz或高频13.56MHz） 间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子） 直接式的PECVD 间接式的PECVD PECVD种类 间接PECVD的特点： 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3，而SiH4直接进入反应腔。 间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。 6.工艺停止后重新加载时需确认所有工艺参数，停机超12小时后需用一片来试片。装片时检验硅片表面是否有脏物，若有则返回前道工序清洗。 7.工艺腔不能降温，否则SiNx会因为冷却导致应力释放而脱落，堵塞气孔 8.为防止气流不稳等导致的薄膜均匀性问题，石墨舟的每个位置都需要放硅片，硅片不足时，放置假片 9.每天上班首先应检查石英管的使用寿命，如果快到达，通知设备人员进行更换。更换的过程必须带好防护装备，同时对工艺腔进行碎片等的清理。 浆料：Ag /Al浆或Ag浆 印刷重量（湿重）：0.10±0.025g/p （以多晶 156*156为例，不同厂家的浆料印刷重量也不同） 作用：具有良好的欧姆接触特性和焊接性能，长期附着性能很好。 质量要求：图形无偏移；印刷重量在规定范围内；电极边缘清晰、无毛刺、无刮条印。 目的：去除浆料中的有机物，便于下道工序继续印刷。