第七章霍尔传感器详解.pptVIP

第七章 霍尔传感器 第一节 霍尔效应 第二节 霍尔元件的基本特性 第三节 霍尔元件的误差及其补偿 第四节 测量电路 第五节 集成霍尔传感器 第六节 霍尔传感器的应用 第一节 霍尔效应 半导体中的电子受洛伦兹力FL的作用： 霍尔常数RH等于材料的电阻率与电子迁移率的乘积，金属材料电子迁移率大，但电阻率很小；绝绝材料电阻率极高，但载流子迁移率极低；只有半导体材料适于作霍尔元件，其电阻率和载流子的迁移率都比较大。 目前常用的半导体材料有硅、锗、锑化铟和砷化铟等，这些材料不但有较大的霍尔常数，而且有较好的线性度。其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 KH表示为一个霍尔元件在单位B和电位I时输出霍尔电压的大小。与霍尔常数RH成正比，而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。 第二节 霍尔元件的基本特性 一、霍尔元件 二、霍尔元件的基本特性 二、霍尔元件的基本特性 霍尔元件主要特性参数： 1. 输入电阻和输出电阻 霍尔元件工作时需要加控制电流，这就需要知道控制电极间的电阻，称输入电阻。霍尔电极输出霍尔电势对外电路来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻。以上电阻值是在磁感应强度为零且环境温度在20℃±5℃时确定的。 3. 不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的控制电流为IN时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。 产生这一现象的原因有： （1）霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； （2）半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀。 （3）控制电极接触不良造成控制电流不均匀分布等。 不等位电势是由霍尔电势c和d之间的电阻ro决定的，称为不等位电阻 4. 寄生直流电势 其产生的原因有： （1）控制电极和霍尔电极与基片的连接属于金属与半导体的连接，这种连接是非完全欧姆接触时。会产生整流效应； （2）控制电流和霍尔电势都是交流时，经整流效应，它们各自都在霍尔电极之间建立直流电势。 （3）两个霍尔电极焊点的不一致，造成两焊点热容量、散热状态的不一致，因而引起两电极温度不同产生温差电势，也是寄生直流电势的一部分。 5. 寄生感应电势 当控制电流I为交变电流时，此电流形成的交变磁场在电极引线上要产生寄生感应电势。为了减小寄生感应电势，要求各电极引线尽可能短，且布线合理以减少磁交链。 三、误差及其补偿 1、零位误差及其补偿 霍尔元件在控制电流I=0或磁场B=0时出现的霍尔电压ΔUH，称之为零位误差。 （2）寄生感应电势 当控制电流I为交变电流时，此电流形成的交变磁场在电极引线上要产生寄生感应电势。为了减小寄生感应电势，要求各电极引线尽可能短，且布线合理以减少磁交键。 （3）不等位电势 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势。实用中，若想消除不等位电势极其困难的，因而只有采用补偿的方法。由于不等位电势由不等位电阻产生，因而可以用分析电阻的方法找到一个不等位电势的补偿方法。 霍尔元件不等位电势原理图 （a）不对称电极 （b）电极等效电桥 不等位电势补偿电路 （a）是电阻值较大的桥臂上并联电阻 （b）是在两相邻桥臂上并联电阻，以增加电极等效电桥的对称性。 2、温度误差及其补偿 电路中用一个分流电阻rT与霍尔元件的控制电极相并联。当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻自动加强分流，减小了霍尔元件的控制电流I，从而达到补偿的目的。 四、测量电路 1. 线性型测量电路 2. 开关型测量电路 U0为开关量，差动放大器工作在开环状态。 第三节 集成霍尔传感器及应用 输出电平与磁感应强度 之间的关系 二、应用 1.国产CS835 霍尔无触点开关 2.国产CS3120高温霍尔传感器的外型结构 第三节 集成霍尔传感器及应用 * 传感器与检测技术 传感与检测技术 武汉理工大学自动化学院 Copyright ? 2004 WUT. All Rights Reserved. 1879年美国物理学家霍尔发现霍尔效应。 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。 电子又受到霍尔电场的作用力 当达到动态平衡时 霍尔电场强度 X为电荷的迁移率（m2/vs） 电流密度 电阻率 霍尔电压为： 令 则 则 称之为