半导体器件物理与工艺详解.ppt

用类似放大模式下求解电流、电压的步骤，可得各模式下的一般表示式为： * 例：一理想的p+-n-p晶体管，其发射区、基区和集电区的掺杂浓度分别为1019、1017和5×1015cm-3，而寿命分别为10-8、10-7和10-6s，假设有效横截面积A为0.05mm2，且射基结正向偏压在0.6V，请求出晶体管的共基电流增益。其他晶体管的参数为DE=1、Dp=10、Dc=2cm2/s，W=0.5μm. 思路：α0=ICp/(IEp+IEn), ICp，IEp和IEn? 当W/Lp1时 所以，基区中空穴电流为： * 解：要求参数Lp，LE, Pn0，nE0 在基极区域中， 由于W/Lp1，所以各电流成分为： * 分析： 当W/Lp1，发射效率由各电流成分表示为 可以看出，欲改善γ，必须减少NB/NE，也就是发射区的掺杂浓度必须远大于基区，这也是发射区用P+重掺杂的原因。 * 5.2.4 共基与共射组态下的电流-电压特性 在电路的应用中，共射组态晶体管是最常被用到的（发射极为输入和输出所共用）。 一.共基组态 输出电流-电压特性 E B C 共基极组态晶体管 p-n-p晶体管基极中的少数载流子分布 从VBC0变为VBC=0后，x=W处的空穴浓度梯度改变量很少，使得集电极电流在整个放大模式范围内几乎相同。 当在集基结上加一正向偏压，集电极电流才降为零。正向偏压造成x=W处的空穴浓度大增，与x=0处相等，因此集电极电流降为零。 * 二.共射组态 p-n-p晶体管的共射组态 输出电流-电压特性 由 和 可得共射组态下集电极电流： IC=α0IE + ICB0 IE = IC+ IB 定义：β0为共射电流增益 其中，ICE0是当IB=0时，集电极与发射极间的漏电流。β一般远大于1，所以基极电流的微小变化将造成集电极电流的剧烈变化。 * 现象：在一共射组态的理想晶体管中，假设(理想情形)中性的基极区域(W)为定值时，当IB固定且VEC0时，集电极电流与VEC不相关。 然而，实际情况下基极中的空间电荷区域会随集电极和基极的电压而改变，使得基区的宽度是集基偏压的函数，从而集电极电流IC与VEC有关。 VEC↑-W↓-载流子浓度梯度↑ -扩散电流↑ 这种IC随VEC的增加而增加的现象称为厄雷效应，或称为基区宽度调制效应。 IC与VEC轴的交点称为厄雷电压，用VA表示。 VEC * 定义：晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压变化而变化的现象，称为晶体管基区宽度效应，又称Early(厄利)效应。 IER wb1 wb2 VCB 或 VCE Xmc Wb α0 、β0 VCB 或VCE Xmc Wb α0 、β0 dnb(x)/dx JnE Early(厄利)电压 * 5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性 在交流工作状态下，pn结的电容效应将对晶体管的工作特性发生影响。频率越高，pn结交流阻抗下降，对结电容的充放电电流增加，使晶体管的放电能力下降。 频率愈高，单位时间用于充放电的电子愈多，到达集电极的载流子愈少，结电容的分流作用愈大，基极电流愈大。因此，交流放大系数是频率的函数，并随频率的升高而下降。同时，对结电容的充放电需要一定的时间产生信号延迟，使输出和输入信号存在相位差。 因此，晶体管的使用频率受到一定的限制。 5.3.1 频率响应 一、高频等效电路 * 共射组态双极性晶体管 晶体管电路的小信号工作状态 负载线：由供应电压Vcc以及负载电阻RL所决定（以斜率-1/RL与VEC轴相交于Vcc）。 iC和iB随时间变化 * 低频下基本等效电路 高频下基本等效电路+电阻和电导 高频下基本等效电路+势垒和扩散电容 gEB * 基区宽度调制效应=输出电导： * 二、截止频率 高频下基本等效电路+电阻和电导 说明：gm和gEB与晶体管的电流增益有关。在低频是，共基电流为常数，当频率升高到一关键点后，共基电流增益下降了。 * 电流增益与频率的关系 引入频率参量后： 共基截止频率：fα 当f=fα时，α=0.707α0，下降了3dB。 * 共射电流增益β： 共射截止频率（Common-emitter cutoff frequency） * 当 ，f=fT为特征频率。 所以，fT ≤ fa 特征频率fT=(2πτT)-1 *