太阳能级单晶硅少子寿命测量的探讨.docVIP

单晶硅非平衡少数载流子 寿命测试文集 浙江金贝太阳能科技有限公司编译 2014年6月16日 前 言 硅载流子复合寿命的测量一直是国内外半导体行业十分重视的课题，我们列出ASTM、SEMI标准中三个涉及寿命测量的方法： 1、SEM1 MF28-02（2003年11月出版） Test Methods for Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay 光电导衰退测量锗和硅体少数载流子寿命的测量方法。 2、SEMI MI535-1104（2004年11月出版） Standand Test Method for Carrier Recombination Lifetime in Silicon wafers by Noncontact Measurement of Photoconductivity Decay by Microwave Reflectance 微波反射无接光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法。 3、ASTM Designation:F391-96 Standard Test Methods for Minority Carrier Diffusion Length in Extrinsic Semiconduc