实验一常用光电子探测器件特性测试实验张世伟.docVIP

实验一 常用光电子探测器件特性测试实验 一.实验目的 学习掌握光敏电阻、硅光电池、雪崩二极管的工作原理 学习掌握光敏电阻、硅光电二极管、雪崩二极管的基本特性与测试方法 了解光敏电阻、硅光电池、雪崩二极管的基本应用 实验器材 光电子探测实验箱、光敏电池、硅光电二极管、光照度计等。 实验电路图与实验数据 硅光电池短路电流特性测试 光电池 光源 图1.硅光电池短路电流特性测试 测试数据 光照度（Lx） 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 光电流（uA） 0 17.7 35.3 52.5 70.2 87.4 104.8 122.2 139.7 157.2 2.硅光电池开路电压特性测试 电路图如图1 测试数据 光照（LX） 0 10 20 30 40 50 90 120 150 180 210 240 270 光电压（mV） 3.3 321 352 368 379 387 406 415 422 427 432 436 439 APD光电二极管伏安特性测试 RL