第6章-霍尔式传感器要点.pptVIP

第六章　霍尔式传感器 一、霍尔效应 霍尔元件：直角平行六面体的单晶半导体薄片 材料：锗(Ge)、硅(Si)、砷化铟(InSb)等半导体材料。 霍尔元件组成：半导体薄片和两对电极组成 霍尔元件的符号和基本电路 霍尔电势方向判别： OP-17 速度与 CF357 相当, UIOS IIOS 和αUIOS 大约 只有CF357的十分之一; 封装、引线排列和应用线路与CF357的完全相同; 工作温度范围为10℃ ~ 70℃。 OP-27 UIOS ,αUIOS 与OP-07相近;IIOS 和α IIOS 比 OP-07的大; OP-27 噪声电压特别小,小于OP-07的十分之一; U0产生的原因： (1)制造工艺不可能保证将两个霍尔电极对称地焊在霍尔片的两侧，致使两电极点不能完全位于同一等位面上，如图5-8a所示。 (2)霍尔片电阻率不均匀或片厚薄不均匀或控制电流极接触不良都将使等位面歪斜(见图5-8b)，致使两霍尔电极不在同一等位面上而产生不等位电动势。 3、采用温度补偿元件 1、微位移测量 (a)曲线对应(a)图的磁路结构，其线性范围窄，而且在位移z=0时，UH ? 0。 (b)曲线对应(b)图， 当z=0时，B=0，故 UH=0。当z?0时，UH?0，其