2电磁场的基本规律资料.ppt

. 2.7 两种特殊情况下边界条件（P78） 1、理想导体表面上的边界条件 （理想导体内部的E、D、B、H均为0） 2、理想介质表面上的边界条件 （两种不同理想介质的分界面上不可能 存在自由面电荷ρs和面电流Js） 2：理想导体?2=∞ 1：理想介质 2：理想介质?2=0 1：理想介质 ? 1=0 例 已知电磁波在两导体平板（z=0和z=d）之间的真气中传播。若此电磁波的电场强度为： 式中kx常数。 试求：（1）磁场强度H；（2）两导体表面上的面电流密度Js。 解： （1）取如图所示的坐标。由麦氏第二方程： 得： 两导体平板截面图 故 （2）电磁波在导体平板所夹的空间传播，电荷（面电流）只分布于两导体相向的面上，符合理想导体表面上的边界条件的一般形式。根据 H 的切向分量不连续，可得：上导体的下表面和下导体的上表面上的电流密度 JS 分别为： 下导体上表面的电流密度 JS： 上导体下表面的电流密度 JS： 2.1 已知半径为a的导体球面上分布着面电荷密度为ρs＝ρs0cosθ的电荷。式中ρs0为常数。试计算球面上的总电量q。 解：选用球坐标系 球面上的总电量可表示为： y z x O ? ? r dr（高） d? rd?（长） rsin? rsin?d?（宽） (r, ?, φ )。 2.2 已知半径为a、长为L的圆柱体内分布着轴对称的电荷，体电荷密度为 式中ρ0为常数。试求圆柱体内的总电荷量。 解：选用圆柱坐标系(ρ,φ,z)。圆柱体内的总电量可表示为： y z x O 2.22 电流密度为J的长圆柱导体中有一平行的圆柱形空腔，其截面如图所示。试计算各部分的磁感应强度，并证明腔内的磁场是均匀的。 解：设圆柱导体横截面的圆心为Ob，半径为b，位置矢量标记为 r 。空腔横截面的圆心为Oa，半径为a，位置矢量标记为r’。两圆心之间的距离为d。空腔内无电流，但可看作同时存在 J 和 －J ，叠加后为0。所以，该结构的等效结构为：半径为b的圆柱体（大圆柱体）内有电流密度为J的电流流过 ，半径为a的空腔（小圆柱体）内有电流密度为－J的电流流过。这样，利用安培环路定律，可方便地求出两种电流密度对应的磁场。通过叠加运算，得到各部分的总的磁感应强度。 由安培环路定律： 对大圆柱体（半径为 b），电流密度 J 产生的磁场： 对空腔（半径为 a）， －J 产生的磁场： 空间任一点的磁感应强度，应为上述两者的矢量和。 在大圆柱体外（rb）, B 应为（2）＋（4）: 积分区域 L的半径 含有电流的圆的半径 在空腔和大圆柱之间（rb, r’a）,应为（1）＋（4）: 在空腔内（r’ a）,应为（1）＋（3）: 作业：P83-88 2.1, 2.5, 2.7, 2.10, 2.22, 2.29, 2.30 * * ∴ 回路磁通量的变化，是产生感应电动势的唯一条件。 应用斯托克斯定理，有： 0 关于感应电场的性质 静电场 感应电场 （涡旋电场） 有散 无旋 无散 有旋 （电力线闭合） （电力线不闭合） 法拉第(1791.9-1867.8)电磁感应定律揭示: 随时间变化的磁场,能激发感生电场。反过来，随时间变化的电场，能否激发磁场呢？为此，麦克斯韦（1831.6-1879.11）提出了位移电流假说；该假设揭示：随时间变化的电场，也能激发磁场。 2.5.2 位移电流 （P66） 麦克斯韦凭空在安培环路定律中添加 项， 将安培环路定理修正为： 例 海水的电导率为4S/m，相对介电常数为81，当频率为1MHz时，求位移电流与传导电流的比值。 解：设电场随时间按正弦规律变化，即： 2.6 麦克斯韦方程组 麦克斯韦提出了两个科学假设: (1)变化的电场（即 ） 也是一种电流，称为 位移电流，也能产生磁场。 (2)静电场与时变电场的性质不同；静电场是无旋场， 时变电场是有旋场。变化的磁场产生感应电场。 在此两假设的基础上，麦克斯韦总结前人的实验结果，于1864年，归纳出了四个方程（称为麦克斯韦方程组），揭示了电磁现象的总规律。其微分形式和积分形式，按习惯，排列如下： 一、麦克斯韦方程组的数学表示 2.6 麦克斯韦方程组 积 分 形 式 微 分 形 式 麦克斯韦第一方程 （全电流定律：隐含 了安培环路定律） 麦克斯韦第二方程 （法拉第电磁感应定律） 麦克斯韦第三方程 （磁通连续性原理） 麦克斯韦第四方程 （高斯定律） 由微分形式可见： （1）时变电场是有旋有散场，