DMOS工艺培训资料.ppt

ESD的重要性——围绕“栅氧化层的保护”，栅氧厚度：980A厚度，击穿电压80V左右 DMOS工艺（PRT） 终端形成 Ring注入/初氧/Ring推结 栅氧段 Act光刻/JFET注入/栅氧/多晶淀积 PWELL段 多晶刻蚀/Pwell注入推 Source段 Source注入/PBODY注入 CON段 ILD淀积/回流/CON光刻 INL 溅射蒸发/光刻腐蚀/合金 BV（除材料） CELL区控制 PWELL Xj JFET Rs Pbody Xj Poly CD 终端控制 Ring Rs Ring注入 初始氧化 GS漏电 POLY 缺陷 多晶质量 多晶刻蚀 ILD缺陷 栅氧质量 理论GS耐压 Tox(nm)*0.8 GS测量注意 GS电压超过30V时，如果时间过长会导致WELL区永久反型 Vth 反型基础 栅氧厚度 Pwell浓度 注入 推结 栅氧电荷 沟道长度 Source Xj 实际案例 Poly形貌 光刻 刻蚀 Rdson JFET 电阻 JFET注入 WELL推结 WELL电阻 Well注入 Well推结 材料 正面金属 清洗 溅射 背面金属 清洗 蒸发 不同产品Rdson的核心影响因素（DMOS） 问题交流 DMOS工艺培训 Summary DMOS应用 DMOS结构 PRT工艺流程 PRT主要参数 PRT主要问题 DMOS发展方向 问题交流 DMOS应用 DMOS应用 应用广泛： 20V：手机、数码相机 30V：计算机主板、显卡 40V：机顶盒和电动自行车 60V： UPS、雨刷、汽车音响、马达控制 80V 以上：LCD TV、LCD 显示器等 150-400V：照明、CRT 电视、CRT 显示器、背投电视、电热水器和洗衣机等 400-800V： 发动机启动器、车灯控制、电 机控制，嵌入式电源和电源适配器等 800-1000V：风力发电、电焊机和中低压变频器等 1000V以上：高压变频器、发电和变电设备等 WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICRO DMOS结构：VDMOS和VUMOS VDMOS VUMOS DMOS结构：Cell图形，结的形状影响BV Poly DMOS结构：几种典型终端图形，影响BV 多个场限环结构 多个场限环结构+场板 结终端扩展：PRT就是这种结构 磨角 DMOS结构：ESD防护 PRT-DMOS光刻 PRT-DMOS工艺控制难点 终端或者Cell区的空间电荷区产生IDSS漏电；任何晶体缺陷：包括EPI材料或者工艺过程导致的缺陷，都将导致IDSS漏电增大 PRT-DMOS工艺控制难点 为保证合理的BV窗口，必须精确控制Ring的结深、浓度，以及Ring区上方的电荷 Ring的结深、浓度与Ring注入条件、初氧和Ring扩散有关：PRT的注入剂量与BV呈现抛物线关系：过低，击穿出现在A点，过高，出现B点； Ring区上方的电荷：包括初氧、介质、Al腐蚀后表面等都对BV有影响，合金后烘焙就是改善表面电荷的工艺步骤； 衬底片 Boron Imp. Boron Imp. 磷 Imp. Boron Imp. Boron Imp. 磷 Imp. 磷 Imp. 磷Imp. PRT-DMOS流程 PRT-DMOS流程 DMOS结构：PRT DMOS实际的管芯图和封装 有源区 耐压区 栅PAD Gate bus 划槽 PRT DMOS：主要参数BVDSS PRT DMOS：主要参数ISGS PRT DMOS：主要参数VTH PRT DMOS：主要参数RDSON PRT DMOS：主要参数RDSON VDMOS的发展 1. 硅基（结构发展） 3. 新材料 3.1 GaN 3.2 SiC 2. 智能型