第七章大规模集成电路精要.pptVIP

第七章 大规模集成电路 集成电路规模的大小，经常用其所包含的晶体管或 逻辑门的数量来区分，如 1000个元件或 100个门以上的 称为大规模集成电路。而我们讲过的编码器、译码器、 计数器为中规模电路，反相器、与非门为小规模电路。 随着集成电路制造工艺的飞速发展，集成度不断提 高因此划分的标准也不断提高，几十~几百门、几百~几 千门、几千~几万门成为小、中、大的划分标准。 大规模集成电路的结构不一定是中小规模电路的简 单集成，它通常常常作为一个相对独立的数字系统，完 成某一方面的功能。典型的大规模集成电路有：微处理 器、存储器、可编程逻辑器件等。 从应用角度来看，大规模集成电路可分为通用型和 专用型两类。通用型由生产厂家设计制作，力求满足大 多数用户的需要；专用型是根据某一用户的特殊要求而 专门设计制作的。 设计专用集成电路有以下几种形式： 专用集成电路 ASIC （ Application Specific Integrated Circuits） 先由用户提出设计要求，或给出 设计的软件，再由厂家制作。前期投入较大，适于大批 量生产。 可编程逻辑器件 PLD （ Programmable Logic Device ） 由用户自己完成设计和编程。单片成本相 对较高，但几乎不需要前期投入，综合成本完全可以接 受，适于小批量使用。 由于课时有限，我们不准备按书上的顺序讲解，而是就几个重点问题加以说明。 一、随机存储器（RAM）基本结构 随机存储器可以随时写入新的数据，可以读出保存 的数据，当切断电源后，数据将丢失。 随机存储器有两大类。 随机静态存储器：在不断电的条件下，数据一经写 入，可以长期保持，属于触发器结构。 随机动态存储器：在不断电的条件下，数据写入后 要定时刷新，否则数据可能丢失，基于MOS管栅极寄生 电容的充放电效应。 1、 六 管 静 态 存 储 单 元 2、 四 管 动 态 存 储 单 元 二、只读存储器（ROM）基本结构 只读存储器是指正常情况下，只能读出数据，不能 写入新数据的一类存储器。写入数据需要专门的方法。 只读存储器有几种形式： ROM： 由厂家在制造时写入数据，不可更改。 PROM： 由用户自己写入数据，但只能写一次。 EPROM：用专用编程器写入数据，可用紫外线擦 除，因此可重复使用。写入有次数限制。 E2PROM：可以象RAM一样在线读写，不需要特殊 的编程手段，但写入次数有限。 几种ROM的基本结构是一样的，一个固定的与阵列 （地址译码）和一个可编程或阵列（数据内容）。 1、 ROM 二 极 管 结 构 MOS 型 ROM 简 化 画 法 2、 PROM 熔 丝 结 构 3、EPROM 利用 叠层栅管的雪崩效应，在漏源级之间加高压形成 雪崩，产生很多高能电子，在控制栅也加高压，使浮栅带 电；加紫外线浮栅放电。 4、E2PROM 利用叠层栅管的隧道效应 D1接地，G1接高压俘获电子； G1接地，D1接高压 释放电荷。用高压脉冲， 不用紫外线。 快闪存储器 （FLASH） 用雪崩效应写入、用隧道效应擦除。擦除时将所有单元同时擦除。单管集成度很高。 5、利用ROM实现组合逻辑函数 由ROM的结构特点我们可以发现： “与阵列”给出了输入A0~An的全部最小项组合。 “或阵列”的每个输出位Di都是一个大或门的输出， 大或门的输入可任选所有最小项。 因此，每个输出位Di就是一个逻辑函数。多个输出 位可以同时实现多个逻辑函数。用ROM实现多输出逻辑 函数是很方便的，如BCD七段显示译码器。 三、可编程逻辑器件 EPROM、E2PROM都是可编程器件，可以实现组合 逻辑函数，但它们的主要用途是存储数据，所以将它们 单列出去。 通常我们所说的可编程逻辑器件主要由以下几种： 可编程逻辑阵列（PLA）——“与阵列”、“或阵 列”都可编程，更加灵活，“与阵列”可有选择地提供 部分最小项，有利于简化电路。一次性编程。 可编程阵列逻辑（PAL） ——“与阵列”可编程， “或阵列”固定，输出形式多种多样可选：三态、反馈、 触发器，但不可全部兼得。一次性编程。 通用阵列逻辑（GAL）——“与阵列”可编程， “或阵列”固定（个别型号可编程），采用E2PROM和 CMOS静态RAM技术，可以有限次重复使用。 GAL的输出采用逻辑宏单元，包括所有输出形式。 不用选择不同类型的芯片。 以上三种属于早期的小规模的PLD器件，内部结构 简单，工作速度快，适于完成较简单的逻辑功能。 现场可编程门阵列（FPGA：Field Programmable Gates Array —— 在PAL、GAL的基础上发展起来的， 规模较大，外部