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微电子器件测试与分析 实验时间实验纪律实验成绩实验安排及内容实验报告 一、实验时间 9月16日开始，每星期一、二下午2：00开始上课 每5人1组 注意自己的上课时间 二、实验纪律 不得迟到，每迟到1分钟扣1分 以任何借口迟到30分钟以上，旷课者均取消上课资格 如果自己搞不清自己的上课时间，后果自负 如果有事情，须事先请假并与其他同学协商调换上课时间 三、实验成绩 操作成绩50%（以考试成绩为主） 报告成绩50% 四、实验安排及实验内容 每组安排做两次实验，其它同学们自行安排直到考试合格为止。参加一次考试 用万用表和图示仪 吉士利:I—V，C—V测试 考试 考试数据分析、计算（课下进行） 四、实验安排及实验内容——预习和复习（实验前完成） 万用表和图示仪的使用方法 三极管、JFET和MOSFET的结构及特性 如何判断器件类型——是三极管（NPN或PNP），JFET还是MOSFET（N沟、P沟，增强、耗尽） 四、实验安排及实验内容—吉士利实验内容 三极管——正反向输出特性曲线，正反向G—P图，E—B、B—C结正反向特性，C—V特性 MOSFET、JFET——输出特性、转移特性、C—V特性 四、实验安排及实验内容—图示仪实验内容 用万用表测二极管的导通电压，电阻 用万用表判断器件管脚位置，测量三极管的放大倍数 用万用表和图示仪判断器件类型——是三极管（NPN或PNP）还是MOSFET（N沟、P沟，增强、耗尽） 用图示仪测量三极管、MOSFET、JFET的输出特性曲线 用图示仪判断器件是否正常工作及损坏的位置 四、实验安排及实验内容——考试 考试内容——图示仪 实验操作 实验成绩以考试成绩为主 考试不及格重新做第一次实验后补考，最高得分80 五、实验报告——要求及题目 要求：每人写1份实验报告 从下列三个题目中任选一个： 1、三极管测试与分析 2、MOSFET 3、JFET测试与分析 格式：报告按科技论文格式书写，结合本实验内容进行分析 五、实验报告——内容 题目：小二号字、黑体 作者：五号字、宋体 单位及地址：（五号字、宋体） 摘要：（五号字、宋体） 一、引言（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体） 二、实验仪器、方法（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体） 三、数据处理及讨论（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体） 四、结论（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体） 五、参考文献（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体） 六、感想、体会、收获、建议、意见等 五、实验报告——摘要 包括论文的目的、方法、结果和结论。 五、实验报告——引言 三极管（或MOSFET、JFET）发展历史，研究动态，本实验的目的、意义及所做的工作。 五、实验报告——方法、仪器 主要设备、仪器名称、型号及作用（列表表示） 主要实验装置系统示意图。 测量的参数及取值范围 五、实验报告——数据处理及讨论（三极管包括NPN和PNP） 需要学习的工具：Origin 画出正、反向输出特性曲线，由输出特性曲线计算?、厄尔利电压 测量并计算漏电流和击穿电压 画出正、反向G—P图 由G—P图，画出?—Ic（对数坐标）关系曲线，并与由输出特性计算出的进行比较 画出各结的C-V特性曲线 五、实验报告——数据处理及讨论 （ JFET和MOSFET 包括N沟和P沟） 需要用的画图工具：Origin 画出输出特性曲线 C-V特性曲线 画出转移特性曲线 计算跨导 计算沟道迁移率