东南大学soc低功耗设计(学时)要点.ppt

细粒状电源门控单元是在工艺库中每个标准单元结构的电源/地和构成逻辑的晶体管之间插入门控晶体管，以切断电路的漏电电流。因为插入的晶体管要能提供所有情况下该单元所需电流，而且为了防止对设计性能的影响，其宽长通常设计的很大。因此，使用细粒度门控单元的电源门控设计，不但大大地增加芯片面积、紧缩布线资源，还在一定程度上加大延时，影响电路的性能；如果其宽长比太小，则会影响系统的抗噪声性能，降低系统可靠性，甚至会导致电路无法正常工作。当然，细粒状电源门控单元也具有优点：每一个单元可以有很好的模拟性能，包括对直流压降（IR Drop）的影响和时序的影响，因为它们都集成在同一个标准单元中，可以用传统的方法实现电源门控物理设计。如左图所示，是细粒状电源门控单元的结构示意图。 * 粗粒状电源门控单元是利用门控单元控制整行甚至多行标准单元电路与电源/地线之间的连接，从而减小每个单元的面积和多余的单元端口。门控单元的晶体管尺寸的选择比较关键，通常其宽长比较大，它的结构设计比细粒状电源门控单元更复杂，但显而易见，使用粗粒状电源门控单元比使用细粒状电源门控单元的设计面积明显的小很多。如右图所示，是粗粒状电源门控单元的结构示意图。 * 电源门控设计中不论使用外部电源门控还是内部电源门控，均会遇到一个问题：被电源门控的模块在门控过程中，因为它们的输出信号变化缓慢，其信号值有很长一段时间处于阈值电压附近，会造成相临工作系统上N管P管常开，造成大量的直通电流（Crowbar current）。为了解决这个问题，在模块相临的接口之间需要添加隔离单元（isolation Cell，lSO）。当模块电源关断发生时，使能该模块的隔离单元，使其他模块不会受到输入的中间电平影响。隔离单元设计思想是将这些不定的输出信号钳位到一个特定的合法值。隔离单元有三种类型：钳位位到“1”、钳位到“0”和锁存到最近值。前两种隔离单元的原理图如图所示： * 隔离单元的缺点是会增加电路延时，对某些关键路径而言，增加延时会降低设计的性能。 另一种不会增加很大延时的隔离技术是使用上拉或下拉晶体管，但此法会引入端口上的多驱动问题，需仔细规划模块掉电和隔离使能的次序以防止竞争的发生，虽然使拉高或拉低晶体管是相对的弱驱动逻辑，也会引起总线竞争、产生过大的电流而导致错误。 如图所示是上拉、下拉晶体管的结构示意图，其中左图表示上拉晶体管，当“ISOL”信号为高电平时，电源关断模块的输出信号被钳位到“0”，为低电平时，输出信号正常；相反，右图所示为上拉晶体管结构示意图，当“ISOLN”信号为低电平时，电源关断模块的输出信号被钳位到“1”，为高电平时，输出信号正常。此外这种多驱动的隔离方式也会给测试带来困难。 * * 目录 功耗基本原理 门控时钟技术（Clock Gating） 多电压域技术（Multi-Voltage） 电源门控技术（Power-Gating） 低功耗技术在SEP0611中的应用 低功耗前沿技术介绍 SEP0611是定位于手持视频播放设备、卫星导航产品的高性能低功耗处理器，采用多电压域设计，支持各电压域独立掉电，时钟频率动态可调，支持DVFS，支持低功耗模式，共有三种功耗模式可供切换：Normal模式、Stop模式、Sleep模式。 可根据具体工作场景对于性能的需求，动态调节系统的工作频率，动态配置部分电压区域的工作电压，以及部分电压区域的掉电，在满足性能需求的前提下，尽可能减小系统的功耗，从而延长电池供给设备的工作时间。 * SEP06xx芯片共有六个电压域： Power Domain A：常开区，工作电压为1.2V，电源管理单元（Power Manage Unit，PMU）放在这个domain中，PMU模块主要实现系统时钟控制和系统功耗控制的功能 Power Domain B：数字核心区，工作电压为1.2V，包含Unicore、DDRC、LCDC、BUS1-5、GPU、USB、DMAC、GPS、VPU、ESRAM、SYSCTRL、HDMI、SDIO、VIC、UART、I2C、I2S、SPI、JPEG等。 Power Domain C：备电区，RTC（Real Time Clock）的计时功能放在这个domain，当芯片进入Sleep模式时，此模块仍需供电，因为此模块需要提供精确的时间信号。 Power Domain D：DDR-PHY区，工作电压1.8V，DDR-PHY模块是DDR控制器与DDR存储器的接口模块，时序要求较高，其工作电压符合DFI（DDR PHY Interface）标准。 Power Domain E：数字IO区，工作电压3.3V，数字核心模块与芯片管脚的接口模块 Power Domain F：常开IO区，工作电压3.3V，PMU模块与芯片管脚的接口模块 * * SEP