ZnO透明导电薄膜与Se掺ZnO纳米材料的制备及光电性能研究.pdf

摘要 nm．2 ZnO是1I．Vl族直接宽禁带化合物半导体材料，在400gm波长范围内有很高的 透光率，是一种新型的透明半导体材料。另外，ZnO还具有成本低，无毒性，资源丰富， 热稳定性高和容易合成等众多优点而成为制备光电器件的优良材料，具有很高的开发潜 力和应用前景。另一方面，还具有丰富的纳米结构，包括纳米线、纳米管、纳米带、纳 米棒等使人们对它保持着浓厚的兴趣。因此，纳米氧化锌作为一种新型功能材料在场效 应晶体管、肖特基二极管、紫外光探测器、气敏传感器、纳米发电机等领域有良好的应 用及发展前景。 薄膜和ZnO：Se纳米颗粒。研究了不同Cu层溅射时间对透明导电薄膜性能的影响，另 外也通过表面光电压研究了ZnO：Se纳米粒子的光电特性，本论文的主要内容如下： l选纯度99．99％的ZnO粉末和自制稀粘合溶剂作为原料，采用合理的烧结工艺在 空气气氛下制备出优良的ZnO陶瓷靶材。由XRD图谱可得制备出的ZnO陶瓷靶材与 ZnO粉体物相一致均为多晶的六角纤锌矿结构，结晶良好，没有产生其它杂相。 2采用射频磁控溅射技术，以高纯度ZnO为靶材，在高纯Ar环境，气体压强设定1．0 mm，溅射功率为80W的条件下在玻璃衬底上制备TZnO Pa，固定靶和衬底的距离为65 min溅射的 薄膜。研究了不同溅射时间对ZnO薄膜光学透光率的影响。从透射图可得5 min溅射的ZnO薄膜的透光率基本上在85％以上， ZnO薄膜的透光率均在90％以上，10 而15min溅射的ZnO薄膜出现最低的透光率基本上在70％以上，这主要是溅射时间的增 加，薄膜的厚度增加，越来越多的光子被材料吸收，导致平均透光率呈下降趋势。说明 溅射时间对薄膜的光学特性影响很大。 3以ZnO陶瓷靶和金属Cu靶为基础在室温条件下利用直流磁控溅射和射频磁控溅 射技术在玻璃衬底上制备了ZnO／Cu多层透明导电薄膜。通过改变金属Cu层的溅射时间， 光学性质、电学性质等进行了研究和分析。对ZnO多层透明导电薄膜而言，金属层的溅 射时间是一个很大的影响因素。多层透明导电薄膜的导电性能随金属溅射时间的增加而 增强，然而，随着金属层溅射时间的增加多层薄膜的透光性将显著降低。这是因为ZnO 和金属Cu的功函数相差比较大，金属与半导体接触时将发生载流子的流动。由于ZnO的 功函数明显大于金属Cu的功函数，电子将从功函数小的Cu层跑到功函数大的半导体ZnO 层中，导致半导体ZnO层载流子浓度增加，电阻率降低。电子在传输中要经过晶界，很 容易受晶界的散射作用，由于Cu层溅射时间比较短，Cu层会很容易形成岛状结构，导 致不连续的散射增加，使薄膜的迁移率降低。当Cu层沉积时间变长时，Cu层开始变连 续岛状结构减小，大部分电流经过低阻的Cu层，薄膜的迁移率载流子浓度增加，电阻率 降低。从薄膜的透射谱中发现，Cu层的引入降低了多层薄膜的透光率，这主要是因为随 着Cu层溅射时间的增加，更多的电子参与了跃迁而吸收更多的光，使多层结构薄膜的透 光率随溅射时间的增加而降低。随着多层结构薄膜载流子浓度的增加薄膜的光学带隙 下降。 4本节我们在室温条件下利用直流磁控溅射和射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制 尔测试仪对ZnO／Cu／ZnO多层薄膜的光学性质、电学性质等进行了研究和分析。当Cu层 的溅射时间增加时薄膜的载流子浓度提高，霍尔迁移率先降低后随着时间的增加再上 升，薄膜的电阻率降低。相同的Cu层不同ZnO溅射功率对薄膜的电学性质影响不大，对 薄膜的透过率有比较大的影响。 5以醋酸锌和Se粉为原料，以乙二胺为溶剂，利用溶剂热和固相合成法制备了Se掺氧 化锌(ZnO：Se)纳米颗粒，并通过X射线衍射、扫描电镜、拉曼散射、紫外可见光吸收、 表面光电压等手段对样品进行表征测试，并通过表面光电压谱来初步评估纳米颗粒的光 电性能．所合成ZnO：Se的表面光电压谱显示出两个光电响应带，即在330．380nm之间能 观察到一个明显的光电响应带，同时在380．395am又出现了第二个新的相对较弱的光电 响应带，直至500nm。在正偏压下，ZnO：Se纳米材料的电场诱导表面光电压谱的光电强 度明显变弱。ZnO