第四章硅片精要.pptVIP

* 在200mm及以上的硅片上，定位边已被定位槽所取代。 具有定位槽的硅片在硅片上的一小片区域有激光刻上的有关硅片的信息。 对于300mm硅片来讲，激光刻印于硅片背面靠近边缘的没有利用到的区域。 硅片的标记（II） 1234567890 Notch Scribed identification number * 硅片质量的测量 物理尺寸 平整度 氧含量 晶体缺陷 颗粒 体电阻率 Positive deviation Negative deviation Vacuum chuck Wafer Reference plane * 薄层电阻（方块电阻） Rs：方块电阻，单位欧姆/? * 硅片电阻的测量 “Four-point probe” measurement method. The outer two probes force a current through the sample; the inner two probes measure the voltage drop. * * 300mm wafer 硅片照片 * SOI基片(silicon on insulator,绝缘体上硅) a)薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路　 b)相当薄的绝缘二氧化硅中间层　 c)非常厚的体型衬底硅衬底层，其主要作用是为上面的两层提供机械支撑。 基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。 * 1. SIMOX SIMOX是注氧隔离技术(Separation by Implanted Oxygen)的简称。 此方法有两个关键步骤：离子注入和退火。 在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不很好。随后进行的高温（1400?C）退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时硅片的质量得以恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。 SOI制备方法(I) * 2. Bonding（键合） 通过在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之间使用键合技术，两个圆片能够紧密键合在一起，并且在中间形成二氧化硅层充当绝缘层。键合圆片在此硅片的一侧削薄到所要求的厚度后得以制成。 这个过程分三部来完成。第一部是在室温的环境下使一热氧化圆片在另一非氧化圆片上键合；第二部是经过退火增强两个圆片的键合力度；第三部通过研磨、抛光及腐蚀来消薄其中一个圆片到所要求的厚度。 SOI制备方法(II) * 第四章 硅片的生产 * 内容提要 （一）硅及氧化硅的基本性质 （二）硅片的生产 * 晶体结构 晶体 是一个固体，是在三维空间含有周期性重复的结构单元。这一个单元可以是一个原子（原始晶胞），也可以是一个大的分子集团。 晶格 晶体中的原子和分子被缩小到一个点，数学抽象的晶体。 晶胞 用晶格矢量形成的最小可能的平行六边体称为晶胞 * 常见的立方晶格 简单立方（sc） 面心立方（fcc） 体心立方（bcc） 简单立方是一个原始晶胞。 a)每一个立方体的角结点处有一个原子 b) 每个原子有8个相邻晶胞 * 米勒指数 a) 用晶格矢量a1,a2,a3确定晶面的截距，并用晶格常数的单位a1,a2,a3来表示结果。 b) 取这组数字的倒数， (当截距为无穷大，则倒数为0）。在不能得到整数时，取三者的最小公分母相乘，把结果放在圆括号内：(hkl) Z X Y (100) Z X Y (110) Z X Y (111) * Conventions: – (hkl): single plane or set of all parallel planes. – ( h kl): for a plane that intercepts the x axis on the negative side of the origin. – {hkl}: for all planes of equivalent symmetry, such as {100} for (100), (010), (001), (100), (010), and (001) in cubic symmetry. – [hkl]: for the direction perpendicular to the (hkl) plane. – hkl: for a full set of equiva