低温制备硅基薄膜太阳电池及在塑料衬底上的应用.pdf

摘要 摘要 居高不下的研发、设备和生产成本成为限制塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电 池大规模推广的主要因素。本论文采用低温沉积技术，将硅基薄膜材料及太阳 电池的沉积温度降低到120℃以下，使得多种耐温性不高但透明性好、在工业中 廉价易得的光学塑料成为很好的衬底选择。这些透明塑料衬底可以和玻璃一样， 参照传统的p．i-n型太阳电池的制备方法，使得在低成本下制备出柔性硅基薄膜 太阳电池成为可能。 沉积温度降低使硅基薄膜材料的光电、结构特性劣化。目前多数研究均集 中在低温下非晶硅材料的优化，对硅基薄膜相关的材料及器件研究需要深入开 展。本论文利用常规的RF．PECVD技术，采用廉价透明塑料衬底，在低温下对 非晶硅电池、微晶硅电池、非晶硅，微晶硅叠层电池以及衬底预处理技术进行系 统研究，主要研究内容和取得的成果如下： 首先，研究了多种参数对低温非晶硅材料性能的影响以及低速条件下材料 性能的优化，并提出了适合于RF电源的高压高速率沉积技术优化低温非晶硅材 料的性能。通过改变工艺参数使沉积速率降低，使低速条件下可以在很大的工 艺范围内获得光电性能良好的非晶硅材料，其性能已经接近200℃下制备非晶材 料的光电、结构性能。在高压高速条件下，通过引入“气压功率比”这一综合 参数，有利于迅速、准确地找到合适的工艺优化区间，使材料及电池的性能得 到优化。通过OES对生长过程进行在线监测，发现低温低压条件下，电子温度 是材料质量的主导因素，而原子氢浓度只是在一定程度上起到辅助作用。高压 条件下，在适中的气压功率比下，可以获得最低的电子温度和最高的原子氢浓 度。 其次，对低温沉积的P型窗口层材料进行优化。从低温与高温下制备p-a-SiC 材料的性能对比入手，我们发现，低温常规条件制备p-a-SiC材料的宽带隙与低 激活能不易同时获得，较低的内建电势是钳制低温非晶硅电池开路电压的主要 因素。基于硅烷与甲烷的分解具有不同的阈值能量，提出一种·“低功率、低硅 烷流量的条件下，避免了甲烷的直接分解，可以使生长过程和生长机制得到 简化。通过对掺杂浓度的调整以及氢稀释率的提高，使低温制备p-a-SiC材料的 摘要 结构有序度得到改善、Si．H键含量提高，使材料的带隙得到展宽。与此同时， 有序的结构使掺杂效率提高，可以在较低的气相掺杂浓度下获得足够高的电导 率。最终，在125℃低温下获得了E04=2．02eV、暗电导率为1．0x10‘7 S／era的P．a-SiC 材料。将其与SC=8％条件下制备的本征非晶硅材料结合起来，获得了‰=0．97 V，转换效率达到7．5％的单结非晶硅电池。另一方面，与宽带隙的非晶硅本征 层相结合，使P．i-n型单结非晶硅电池‰达到1．01V。 再次，对低温沉积的本征微晶硅材料及非晶硅／微晶硅叠层电池性能进行优 化。我们发现，低温下微晶硅材料生长初期的非晶硅孵化层较厚，沿生长方向 上材料的光电、结构特性演变也更为剧烈。采用梯度硅烷浓度法，可以实现不 同晶化率材料的制备以及纵向结构均匀性的优化。然而此时薄膜的整体网络结 构是多种晶向混杂存在的状态，且晶粒尺寸较小，晶粒间界的大量存在导致载 流子的纵向输运特性劣化。针对低温沉积微晶硅材料中存在的问题，我们提出 一种将生长过程分为起始层、过渡层和主体层三个部分的“三步法沉积工艺。 在高功率、低硅烷浓度的条件下，获得了晶化率为48％、(220)晶向择优生长的 起始层材料。以此为基础，通过提高主体层的反应气压有效地降低了粒子轰击 能量，使主体层以近似外延的方式生长，其(220)择优取向不断增强，且伴随晶 粒的不断长大。将宽带隙、高开路电压的非晶硅项电池与“三步法优化的微 晶硅底电池结合起来，在125℃下制备的非晶硅／微晶硅叠层电池效率达到7．7％。 最后，对塑料衬底的预处理技术进行了研究。首先对PET及PET／ITO进行 了不同温度的退火实验，发现当温度超过125℃，ITO的晶粒团簇逐渐减少，至 175℃退火时晶粒团簇几乎完全消失，并出现ITO薄膜的断裂现象。进而在 PECVD腔室内对PET塑料进行氩等离子体处理，可以有效刻蚀PET表面的非 晶及无序部分，使其上生长的ITO薄膜结晶特性和光电性能得到改善。．将预处 理技术与低温沉积技术相结合，使柔