磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及其表面形貌演化动力学的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ %$$# ， ， ， UL: .’’ TL . JVO-: %$$# （ ） $$$72%F$M %$$#M ’’ $ M F#’7$F JHGJ 5QR,SHJ ,STSHJ !%$$# H-* . 5P . ,LE . %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% 磁控溅射!# 薄膜的成核机制及表面形貌 演化动力学研究! 刘志文 谷建峰 孙成伟 张庆瑜! （大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$’ ( %’ %$$’ % ’ 利用原子力显微镜分析了 薄膜在具有本征氧化层的 （ ）和 （ ）基片上的表面形貌随沉积时间的演 )*+ ,- $$ ,- 化 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征，研究了射频反应磁控溅射条件下， 薄膜的成核过程及生长动力学 . )*+ 行为 研究发现， 在基片表面的成核过程可分为初期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段 对于 （ ） . )*+ . ,- $$ 基片，三个成核阶段的生长指数分别为 ， ， ；对于 （ ）基片， ， / 0$ % / $ 0%’ 1 $ 0$ 2 / $ 03 ,- / $ 0’ % / $ 0$( ! ! ! ! ! 1 $ 0$% ， 在初期成核阶段， 薄膜的成核密度可能与 基片表面的本征缺陷有关，薄膜的生长过程除扩 2 / $ 0#2 . )*+ ,- ! 散效应影响以外，还可能存在着比较强的晶粒择优生长和晶格错配应力粗化机制 在低速率成核阶段，薄膜的生长 . 行为主要受沉积速率所支配，而扩散效应的影响相对弱化，错配应力得以进一步释放. 在二次成核阶段，载能粒子 对基片表面的轰击是导致 薄膜再次成核的重要原因，同时阴影效应也可能对薄膜的生长有一定的影响 在薄 )*+ . 膜生长后期的稳定生长阶段，薄膜的表面粗糙度明显降低，具有典型的柱状晶生长特征. 关键词： 薄膜，磁控溅射，生长动力学，成核机制 )*+