铁电存储器精要.ppt

* * * * * * * * * FeRAM存储单元结构 FeRAM存储单元由铁电电容和场效应管组成。 铁电存储器存储单元结构与 DRAM 结构相似，如图所示，由铁电电容代替 DRAM 的存储电容，上电极接位线（BL），下电极接板线（PL）。利用铁电薄 膜的极化翻转来进行数据的写入 与读出。 FeRAM电路结构 铁电存储器的基本单元结构主要包括2T-2C和1T-1C结构。 与2T-2C结构相比1T-1C结构面积缩小一半，是未来高密度铁电存储器的发展方向。但是2T-2C结构采用两个极化方向总是相反的电容进行信号比较,容差范围较大，而且参考单元的铁电电容与寻址单元具有相同的疲劳速率，可靠性更高。 FeRAM铁电存储器器件结构 FeRAM工作过程 图中所示为铁电电容读过程示意图，该单元结构用高于矫顽电压的脉冲完成信号写入。 信息存储于图中的“①”点或“③”点，读操作时，在板线上施加一电压脉冲，铁电电容的极化状态将根据所存储数据，分别从图中“①”点或“③”点位置沿电滞回线达到“④”点。 由“③”到“④”时： 铁电电容的极化方向发生翻转， 产生较大的电流脉冲；在位线电 容 CBL上产生较多的感应电荷 Qmax+Qr，从而在位线上表现 出较大的VBL 由“①”点到“④”点时：铁电电容的极化方向未发生翻转，电流脉冲较小，位线电容 CBL上产生的感应电荷为 Qmax-Qr，对应的位电压较小。 最后通过敏感放大器鉴别出数据，完成信号的读出。 写操作和读操作十分类似，只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。 FeRAM特点 中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。 因此，它的速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题，但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。 另外，铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。 * 铁电薄膜极化翻转后其状态发生了改变，需要进行重新写入，因此读出的过程是破坏性的而且对于铁电薄膜的抗疲劳性提出了很高的要求。 FeRAM由于具有非挥发性、低功耗、高读写次数、高存取速度、高密度存储、抗福射、与集成电路(IC)工艺兼容等突出优点,而被公认为是下一代最具潜力的存储器之一 * 铁电场效应晶体管 FeFET FeFET 的存储原理：与传统的 MOSFET相比较，FeFET 只是利用铁电薄膜材料代替了 SiO2作为栅介质。本质上讲，FeFET 就是利用铁电晶体的极化反转来调制导通沟道的电导率进而实现数据的存储。且电导调制的方向与铁电晶体的极化方向一致。 FeFET工作原理 写操作过程：在 FeFET 的栅极上加一脉冲，使铁电薄膜极化。不同极性的脉冲将使极化的方向不同，硅表面也会呈现强反型状态或者载流子积累现象，对应的是 FeFET 处于导通或是截止状态。 FeFET工作原理 读操作过程：在 FeFET 的漏、源极之间加一个脉冲并使栅极浮空。若硅衬底表面是反型，源漏极之间的沟道导通，读到漏极电流较大；若硅衬底表面是载流子积累，则导电沟道是夹断的，从漏极读出的电流也非常小。根据读出的漏极电流大小，就可以判断出存储单元里所存储的逻辑值。 FeFET特点 FeFET 再读出过程中并未改变铁电薄膜的存储状态，能够实现非破坏性读出，是比较理想的存储方式。 在 FeFET 整个发展过程始终存在两个未能解决的问题：铁电薄膜材料中是退极化场与通过栅介质和铁电薄膜的电荷注入，即栅极漏电流问题。这两个问题直接影响着 FeFET 的数据保持性能，以至于 FeFET 铁电存储器至今未能实现大面积商业化。 所以现在市场上商业化应用的铁电存储器器为FeRAM。 FRAM铁电存储器技术优点 传统半导体内存有两大体系：挥发性内存(Volatile Memory)，和非挥发性内存(Non-volatile Memory)。 挥发性内存如静态随机存储器（SRAM） 和 动态随机存储器（DRAM），虽然这种存储器具有高性能、易用等优点，但是在没有电源的情况下都不能保存资料。 非挥发性内存像 EPROM、 EEPROM 和 FLASH 能在断电后仍保存资料，但由于所有这些内存均起源自只读存储器 (ROM) 技术， 所以您不难想象得到它们都有不易写入的缺点，比如写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。 FRAM铁电存储器技术优点 FRAM三大优点： 1.写入速度极快：比较起 EEPROM/Flash 的最大不同的是