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王生浩 等 :溅射功率和氧分压对 ITO 薄膜光电性能的影响研究 7 17 溅射功率和氧分压对 I TO 薄膜光电性能的影响研究 王生浩 ,张静全 ,王 　波 ,冯良桓 ,蔡亚平 ,雷 　智 , 黎 　兵 ,武莉莉 ,李 　卫 , 曾广根 ,郑家贵 ,蔡 　伟 ( 四川大学 材料科学与工程学院 , 四川 成都 6 10064) ( 摘 　要 : 　采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡 J GP350 型磁控溅射仪制备 , 靶材为 I TO 陶瓷靶 m ( I TO) 透明导电薄膜 ,通过四探针 、紫外可见分光光度 ( In O ) ∶m ( Sn O ) = 90 ∶10) , 直径 100mm 。衬底 2 3 2 3 ( ) ( ) 计 、X 射线衍射 XRD 、霍尔效应仪 、扫描电镜 SEM 为普通钠玻璃 ,使用直流放电沉积 ,工作气体为氩氧混 等对薄膜样品进行了表征 ,研究了溅射功率和氧分压 合气 ,沉积气压为 1. 0 Pa ,溅射功率 13～113W ,氧分压 对 I TO 薄膜微观结构和光电性能的影响 ,结果表明: ( PO2 ) 为 0 . 007～0 . 12 1Pa 。沉积在 400 ℃下进行 ,沉积 溅射功率对 I TO 的光电性能影响较小 ,沉积速率随着 时间为 5min 。 溅射功率的增大而加快 ;随着氧分压的升高 ,载流子浓 ( ) 使用 XP2 探针台阶仪 A mbio s Technolo gy 测 度降低 ,霍尔迁移率先增大后减小 , 电阻率逐渐增大 。 ( 量膜厚 ,用 SZ T2 型四探针仪 苏州同创电子有限公 在优化的工艺条件下 ,制备了在可见光区平均透过率 ) 司 测量方块电阻 ,透过率由北京普析通用仪器有限责 达 85 % 、电阻率为 1 ×10 - 4 Ω ·cm 的光电性能优 良的 任公司的 TU190 1 双光束紫外可见分光光度计测得 , I TO 薄膜 。 XRD 用丹东方圆仪器有限公司的 DX2500 型 X 射线 关键词 : 　氧化铟锡 ;直流磁控溅射 ; 电阻率 ;透光率 α (λ ) 衍射仪检测 ,使用 Cu K 辐射 = 0 . 15406nm 。载流 中图分类号 : 　TB43 ; TN 305 . 92 文献标识码 :A 子浓度和迁移率由美国 Keit hley 公司的霍尔测试系统 ( ) 文章编号 :100 19