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- 2016-04-01 发布于湖北
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物 理 实 验 中 心_32574.doc
物 理 实 验 中 心
实验指导书
霍尔位置传感器法测杨氏模量
霍尔位置传感器法测杨氏模量
随着科学技术的发展,微小位移量的测量技术愈来愈先进,杨氏模量实验仪是在弯曲法测量固体材料杨氏模量的基础上,加装霍尔位置传感器而成的。通过霍尔位置传感器的输出电压与位移量线性关系的定标和微小位移量的测量,有利于联系科研和生产实际,了解和掌握微小位移的非电量电测新方法。1879年,美国物理学家霍尔(Edwin Herbert Hall,1855—1938)发现,当电流垂直于外磁场的方向流过某导电体时,在垂直于电流和磁场的方向,该导电体的两侧会产生电势差,它的大小与和的乘积成正比,而与导电体沿磁场方向的厚度成反比。这一现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的数学表达式为
(1)
式中为导电体的霍尔系数,称为元件的霍尔灵敏度。如果保持霍尔元件的电流不变,而使其在一个均匀梯度的磁场中沿梯度方向移动时,则输出的霍尔电势差变化量为
(2)
式中为位移量。此式说明在一个均匀梯度的磁场中,与成正比。
为实现均匀梯度的磁场,如图1所示选用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同),并使N极与N极相对而放置,两磁铁之间留一等间距间隙,霍尔元件平行于磁铁放在该间隙的中轴上。间隙大小要根据测量范围和测量灵敏度要求而定,间隙越小,磁场梯度就越大
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