局部腐蚀详解.ppt

闭塞电池 蚀孔口形成了Al(OH)3腐蚀产物沉积层，阻碍了扩散和对流，使孔内溶液得不到稀释。 总结： 酸化自催化闭塞电池 酸化：Al3++H2O+Cl— → H++AlOHCl+ 自催化： Al+3H++2Cl－ → 3/2H2+AlCl+2 闭塞电池：O2-+2H2O+4e→ 4OH- Al3++OH-→ Al(OH)3 8.3.4 影响点蚀的因素和防止措施 点蚀的破坏性和隐患性很大，不但容易引起设备穿孔破坏，而且会使晶间腐蚀、剥蚀、应力腐蚀、腐蚀疲劳等易于发生。在很多情况下点蚀是引起这类局部腐蚀的起源。为此，了解点蚀发生的规律、特征及防止途径是相当重要的。 点蚀与金属的本性、合金的成分、组织、表面状态、介质成分、性质、pH值、温度和流速等因素有关。金属本性对点蚀倾向有着重要的影响。具有自钝化特性的金属或合金，对点蚀的敏感性较高。点蚀电位愈高，说明金属耐点蚀的稳定电位范围愈大。表为几种金属与合金在氯化物介质中耐点蚀的性能。在25℃、0.1mol/LNaCl溶液中最易点蚀的是铝，最稳定的是铬和钛，镍、锆、18—8不锈钢居中。 在25℃0.1mol/LNaCl溶液中各金属的点蚀电位 金 属 点蚀电位Ebr/V 金 属 点蚀电位Ebr/V Al Ni Zr 18—8不锈钢 -0.4 0.28 0.46 0.26 30％Cr—Fe 12％Cr—Fe Cr Ti 0.62 0.20 1.0 1.20 金属的点蚀一般易发生在含有卤素阴离子的溶液中，尤其以氯化物、溴化物侵蚀性最强。但材料易发生点蚀的介质也有一定的特定性。譬如，不锈钢的点蚀易发生在含卤素阴离子溶液中，而铜则对SO42－离子更敏感。当腐蚀介质中有侵蚀性卤化物阴离子时，氧化性的金属离子(Fe3+、Cu2+、Hg2+)能促使点蚀的产生。溶液中含有FeCl3、CuCl2、HgCl2等二价以上重金属氯化物时，由于金属离子强烈的还原作用，还原电位较高，即使在缺氧的情况下也能在阴极上进行还原，促进阴极去极化作用，大大地促进点蚀的形成和发展。 所以，实验室中常用10％FeCl3·6H2O或6％FeCl3溶液作为加速腐蚀介质。 防止点蚀的措施，首先从材质(加入合适的抗点蚀的合金元素，降低有害杂质)角度考虑较多，其次是改善热处理制度和环境因素的问题。环境因素中尤其是卤素离子的浓度影响。此外，可采取提高溶液的流动速度、搅拌溶液、加入缓蚀剂或降低介质温度及采用阴极极化法等措施，使金属的电位低于临界点蚀电位。对于具体的材料要用具体的防护措施。下面列举铝及铝合金点蚀的防止方法。 (1) 降低能生成沉淀相的较贵金属元素的含量。例如，Si、Fe、Cu等元素，即减少有效的局部阴极。 (2) 加入Mn、Mg等合金元素，它们能与Fe、Si等形成电位较低的活泼相，提高抗点蚀能力。 (3) 避免在500℃左右退火，因为在这种条件下得到的沉淀相增多。 (4) 包覆纯铝，提高抗蚀性。 (5) 含有氯化物、氧、碳酸氢钙和微量的铜的水溶液都可能增加铝产生点蚀的危险性，应尽量降低这些物质的含量。 8.4 晶间腐蚀 8.4.1 晶间腐蚀的形态及产生条件 晶间腐蚀是一种由微电池作用而引起的局部破坏现象，是金属材料在特定的腐蚀介质中沿着材料的晶界产生的腐蚀。这种腐蚀主要是从表面开始，沿着晶界向内部发展，直至成为溃疡性腐蚀，整个金属强度几乎完全丧失。其腐蚀特征是，在表面还看不出破坏时，晶粒之间已丧失了结合力，失去金属声音，严重时只要轻轻敲打就可破碎，甚至形成粉状。因此，它是一种危害性很大的局部腐蚀。 晶间腐蚀的产生必须具备两个条件。一是晶界物质的物理化学状态与晶粒本身不同；二是特定的环境因素，如潮湿大气、电解质溶液、过热水蒸气、高温水或熔融金属等。 影响晶界行为的原因 (1) 合金元素贫乏化。由于晶界易析出第二相，造成晶界某一成分的贫乏化。例如，18—8不锈钢因晶界析出沉淀相(Cr23C6)，使晶界附近留下贫铬区，硬铝合金因沿晶界析出CuAl2而形成贫铜区。 (2) 晶界析出不耐蚀的阳极相。例如，Al-Zn-Mg系合金在晶界析出连续的MgZn2；Al—Mg合金和Al—Si合金很可能沿晶界分别析出易腐蚀的新相Al3Mg2和Mg2Si。 (3) 杂质或溶质原子在晶界区偏析。例如，铝中含有少量铁时(铁在铝中溶解度低)，铁易在晶界析出，铜铝合金或铜磷合金在晶界可能有铝或磷的偏析。 (4) 晶界处因相邻晶粒间的晶向不同，晶界必须同时适应各方面情况；其次是晶界的能量较高，刃型位错和空位在该处的活动性较大，使之产生富集。这样就造成了晶界处远比正常晶体组织松散的过渡性组织。 (5) 由于新相析出或转变，造成晶界处具有较大的内应力。另外还证实由于表面张力的缘故，使黄铜的晶