光通信用雪崩光电二极管_APD_频率响应特性的研究.pdfVIP

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2016-04-03 发布于安徽
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光通信用雪崩光电二极管_APD_频率响应特性的研究.pdf

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物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 7 (2011) 072902 光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究* 莫秋燕赵彦立 ( ，， 430074 ) 华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室武汉 (20 10 4 20 ;20 10 9 2 ) 年月日收到年月日收到修改稿、 (SACM-APD )， InP / InGaAs 、InAlAs / InGaAs Si / Ge 吸收层电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管包括和 APD ．，、是光通信领域近年来研究的热点本文基于电路模型系统比较了不同外延层厚度不同材料以及不同结构 APD ， Si / Ge APD 、、，的频率响应特性重点探讨吸收层厚度光敏面大小寄生参数等各项参数对带宽的影响仿真结． SACM-APD ．果与实际器件实验数据相符合本文的研究成果对的优化设计具有指导意义 :SACM-APD ，，关键词电路模型频率响应 PACS :29 ． 40 ． Cs ，42 ． 79 ． Sz ，42 ． 79 ．－ e ［7— 15］，频率响应的电路模型研究已经有很多报道但［16 ，17］对Si / Ge APD 的电路模型研究尚不充分．本文， Si / Ge SACM-APD 1. 引言在已有工作的基础上导出了频率，、响应的电路模型系统研究了正入射波导型和谐振