微细加工(第四章微细加工中的刻蚀-修改稿).pdfVIP

刻蚀和清洗处理过程包括的内容 刻蚀和清洗处理过程包括的内容 第四章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺 第四章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺 在微细加工中，刻蚀和清洗处理过程包括许多内容。 在微细加工中，刻蚀和清洗处理过程包括许多内容。 1.在覆盖光刻胶前，对于适当取向的半导体薄片的 1.在覆盖光刻胶前，对于适当取向的半导体薄片的 锯痕首先要机械抛光，以除去全部的机械损伤，之后进 锯痕首先要机械抛光，以除去全部的机械损伤，之后进 在硅片表面形成光刻胶图形后,下一 行化学抛光，以获得无损伤的光学平面。这种工艺往往 在硅片表面形成光刻胶图形后,下一 行化学抛光，以获得无损伤的光学平面。这种工艺往往 能去除以微米级计算的材料表层。 步的工作是通过刻蚀的工艺将该图形转 能去除以微米级计算的材料表层。 步的工作是通过刻蚀的工艺将该图形转 2.对薄片进行化学清洗和洗涤，以除去因操作和贮存 2.对薄片进行化学清洗和洗涤，以除去因操作和贮存 而产生的污染; 移到光刻胶下面的层上，这就是本章要 而产生的污染; 移到光刻胶下面的层上，这就是本章要 3.然后用热处理的方法生长Si0 (对于硅基集成电 3.然后用热处理的方法生长Si02(对于硅基集成电 讨论的内容。 2 讨论的内容。 路)，或者沉积氮化硅(对于砷化镓电路)，以形成初始保 路)，或者沉积氮化硅(对于砷化镓电路)，以形成初始保 护层。 护层。 4.对光刻胶光刻后,刻蚀过程和图案的形成相配合。 4.对光刻胶光刻后,刻蚀过程和图案的形成相配合。 在保护膜层上刻出许多小窗，并通过该层保护膜进行物 在保护膜层上刻出许多小窗，并通过该层保护膜进行物 质的注入或扩散，以便形成半导体区。重复这一过程， 质的注入或扩散，以便形成半导体区。重复这一过程， 直到全部形成器件。