模拟电子技术场效应管及其模拟电路详解.pptVIP

场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、寿命长和省电的特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点，在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛的应用。根据结构不同，场效应管可以分为两大类。 (1) 结型场效应管(JFET) (2) 金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET) 利用半导体内的电场效应进行工作，也称为体内场效应器件 利用半导体表面的电场效应进行工作，也称为表面场效应器件 实际N沟道JFET的结构剖面图 图3-1(b) PJEFT的符号 图3-1(a) NJFET的符号 按导电沟道来分，JFET又分为N沟道和P沟道两种。JFET的符号如图3-1。 箭头方向表示PN结正偏时的电流方向。JFET正常工作时，PN结必须反偏或者零偏。 在一块N型半导体材料两边扩散出高浓度的P型区，形成两个PN结.两边P+型区引出两个电极并连在一起称为栅极g，在N型本体材料的两端各引出一个电极,分别称为源极s和漏极d。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道。这种结构成为N沟道型JFET。 vGS≤0 vGS≥0 vDS≥0 vDS≤0 栅极电流IG很小，呈现高阻特性 3.1.1 N沟道结型场效应管的输出特性曲线 图3-2 NJFET的输出特性 VDSK (a) (b) N沟道结型场效应管的输出特性曲线就是在栅源电压vGS一定时，漏极电流iD 随漏源电压vDS的规律变化，即iD=f(vDS)|vGS=常数。 如图3-2(a) ，令vGS=0V，D、S之间加直流电压源VDD，调节VDD，使vDS由0V逐渐增大，测出相应的漏极电流iD随漏—源电压vDS变化的数据见表3-1。根据表中数据，可得到iD与vDS间的关系曲线如图3-2(b)所示。 - + VGG 图3-2 NJFET的输出特性 VDSK 当vDS较小时，iD随vDS的变化近似于直线关系，即iD与vDS成比例；随着vDS的增大，上升率变缓，当vDS=VDSK（膝点值）后，再继续增大vDS，则iD基本保持不变；当vDS增至某一值时，iD急剧增大，进入击穿状态。 改变vGS的值（满足vGS≤0），重复上述过程，可得到相应的iD=f(vDS)|vGS=常数的曲线，如图3-2(c)所示。 (b) (c) 图3-2(c) N沟道JFET的输出特性 1. 夹断电压vGS,off 保持vDS不变（如vDS=10V），将vGS由0变为负值，并使vGS的绝对值增大，则iD减小，输出特性曲线下移；当vGS等于某一值时，iD近似等于零。我们把iD等于零时的栅—源电压vGS值称为夹断电压，记做vGS,off。 有两种方法可以从输出特性曲线观察夹断电压vGS,off的值。其一，观察最接近横轴的那条曲线的vGS值，则vGS,off的值比它更负一些（对NJFET管）；其二，可以观察vGS=0V的那条曲线膝点所对应的横坐标值VDSK≈VGS,off。 VGS,off ID 2. 四个区，即恒流区（放大区）、可变电阻区、截止区和击穿区 图3-2(c)中每条曲线的第一个膝点的连线是可变电阻区与恒流区的分界线，每条曲线的第二个膝点的连线是恒流区与击穿区的分界线。 图3-2(c) N沟道JFET的输出特性 恒流区 可变电阻区 截止区 击 穿 区 ID 3. 各个区的基本特征 图3-2(c) N沟道JFET的输出特性 恒流区：vGS在一定范围内（N沟道JFET，VGS,offvGS0），vGS对iD有很强的控制作用，而vDS对iD的影响很小。iD相当于一个压控电流源，但不是线性控制。 恒流区 可变电阻区：当vDS很小时，iD与vDS近似于线性关系，即vDS与iD的比值为一个电阻。当改变vGS时，直线斜率改变，即电阻值改变，故称为可变电阻区。在可变电阻区，D、S之间相当于一个压控电阻。 可变电阻区 截止区：当|vGS||vGS,off|，iD=0时，D、S之间相当于开路。 截止区 击 穿 区 击穿区：表明PN结反向击穿，电流急剧增大，以至于毁坏JFET。因此，击穿区是禁用的。 ID 3.1.2 N沟道结型场效应管的转移特性曲线 转移特性是指vDS一定时，iD随vGS的变化规律，即iD=f(vGS)|vDS=常数 3.1.2.1 如何由输出特性曲线画出转移特性曲线 选vDS=常数（如10V），在输出特性（图3-3a）的恒流区做垂直线，可得一组vGS和iD值，画出转移特性曲线如图3-3(b)所示。vD