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微电子制造工艺文件 项目名称： CMOS的工艺文件 项目编号： 团队负责人： 王昕 团队成员： 王昕 朱浚哲 周嘉 吴康 宋嘉棋 陈学志 指导教师： 陈 邦 琼 文件页数： 201 5 年 10月 25 日 工艺文件目录 编 号 名称 编者 1 硅片清洗 王昕 2 垫氧化 王昕 3 低气压化学气相淀积氮化物 王昕 4 第一次光刻 王昕 5 第一块掩膜板 王昕 6 局部氧化 王昕 7 显影 王昕 8 氮化物刻蚀 陈学志 9 去除光刻胶 陈学志 10 隔离区注入 陈学志 11 场氧化 陈学志 12 去除氮化物和垫氧层，并清洗 陈学志 13 掩蔽氧化 陈学志 14 第二次光刻 陈学志 15 N阱注入 宋嘉棋 16 N阱驱动 宋嘉棋 17 生长栅氧化层 宋嘉棋 18 淀积多晶硅 宋嘉棋 19 第三次光刻 宋嘉棋 20 多晶硅刻蚀 宋嘉棋 21 第四次光刻 周嘉 22 N型源/漏区离子注入 周嘉 23 第五次光刻 周嘉 24 硼离子注入 去胶 退火 吴康 25 吴康 26 吴康 27 积淀氮化物 膜钝化回流 吴康 28 吴康 29 涂胶 曝光 显影 吴康 30 吴康 31 接触孔刻蚀 朱俊哲 32 金属淀积 朱俊哲 33 第七块掩膜版金属互连 朱俊哲 34 化学气相淀积USG 朱俊哲 35 化学气相淀积氮化物形成钝化物 朱俊哲 微电子制造工艺文件 单位名称 第三组 项目名称： Cmos工艺 工艺名称 硅片清洗 工艺文件编号： 所需设 备清单 工 艺 步 骤 工艺内容 相关标准 2、清洗工艺 2.1RCA清洗法 RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺，是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后，由此得名。 RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成，主要洗液成分见表2.1，表2.2，表2.3。 SPM具有很高的金属氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属，当沾污特别严重时，难以去除干净。 DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属，也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时，硅片几乎不被腐蚀。　　表2.1 基础的RCA清洗剂配方 SC-1清洗液是能去除颗粒和有机物质的碱性溶液。由于过氧化氢为强氧化剂，能氧化硅片表面和颗粒。颗粒上的氧化层能提供消散机制，分裂并溶解颗粒，破坏颗粒和硅片表面之间的附着力，而脱离硅表面。过氧化氢的氧化效应也在硅片表面形成一个保护层，阻止颗粒重新粘附在硅片表面。随后将硅片放入到10%的HF溶液中浸泡2分钟，可以将硅片表面自然生成的氧化膜去除并抑制氧化膜再次形成，同时HF酸还可以将附着在氧化膜上的金属污染物溶解掉。 SC-2湿法清洗工艺用于去除硅片表面的金属。用高氧化能力和低PH值的溶液，才能去除表面的金属粘污。此时，金属被氧化成为离子并溶于酸液中，金属和有机物粘污中的电子被清洗液俘获并氧化。因此电离的金属溶于溶液中，而有机杂质被分解。这就是RCA清洗方法的机理。继续用HF在室温下清洗硅片2分钟，最后用去离子水超声清洗数次去除残留的洗液。　　表2.2 RCA清洗剂配方 改进的RCA清洗工艺溶液配比见表2.3。 RCA-1（H2O/NH4OH/H2O2）型洗液：硅片表面的自然氧化层（SiO2）和Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便分散于清洗液中，从而去除表面的颗粒。在NH4OH腐蚀硅表面的同时，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。 RCA-2（H2O/HCl/H2O2）：用于除去硅片表面的Na、Fe、Mg等金属沾污，在室温下就能除去Fe和Zn。　　表2.3 改进的RCA清洗剂配方 工艺设计者： 批准人： 微电子制造工艺文件 单位名称 第三组 项目名称： Cmos工艺 工艺名称 垫氧化 工艺文件编号： 所需设 备清单 工 艺 步 骤 工艺内容 相关标准 操作规程回火后得垫圈装