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电阻应变式传感器的应用 梁式力传感器: 电阻应变式传感器的应用 例2.2: 电阻应变式传感器的应用 2.压力传感器 压力传感器主要用于测量流体的压力。根据其弹性体的结构形式可分为单一式和组合式两种。 单 一 压 力 传 感 器 电阻应变式传感器的应用 3.位移传感器 应变式位移传感器是把被测位移量转变成弹性元件的变形和应变,然后通过应变计和应变电桥,输出正比于被测位移的电量。它可用于近测或远测静态或动态的位移量。 2.4 压阻式传感器 半导体材料受到应力作用时,其电阻率会发生变化,这种现象称为压阻效应。 常见的半导体应变片采用锗和硅等半导体材料作为敏感栅。根据压阻效应,半导体和金属丝同样可以把应变转换成电阻的变化。公式为: 式中,?为压阻系数;?为应力;E为弹性模量。 2.4 压阻式传感器 由于半导体材料的各向异性,当硅膜片承受外应力时,同时产生纵向和横向压阻效应。则有 半导体应变片的灵敏系数为 2.4.1 测量原理 在膜片上布置4个等值电阻。只要位置合适,可满足 这样可以形成差动效果, 通过测量电路, 获得最大的电压输出灵敏度 。 2.4.2 温度补偿 压阻式传感器受温度影响后,会引起零位漂移和灵敏度漂移,因而会产生温度误差。 零位温度一般可用串联电阻的方法进行补偿。 串联电阻Rs主要起调节作用,并联电阻Rp则主要起补偿作用。例如,温度上升,Rs的增量较大,则A点电位高于C点电位,VA-VC就是零位漂移。在R2上并联一负温度系数的阻值较大的电阻Rp,可约束Rs变化,从而实现补偿,以消除此温度差。 补偿电路 压阻式传感器的应用 1.压力测量 压阻式压力传感器由外壳、硅杯和引线组成,如图2.24所示,其核心部分是一块方形的硅膜片。当硅杯两侧存在压力差时,硅膜片产生变形,4个应变电阻在应力作用下,阻值发生变化,电桥失去平衡,按照电桥的工作方式,输出电压与膜片两侧的压差成正比,即 图2.24 压阻式压力传感器 2.液位测量 如图2.25所示,压阻式压力传感器安装在不锈钢壳体内,并由不锈钢支架固定放置于液体底部。被测液位可由下式得到: 图2.25 压阻式压力传感器外形图 气敏电阻传感器 气敏电阻传感器可以把气体中的特定成分检测出来,并将它转换成电信号的器件,以便提供有关待测气体的是否存在及其浓度的高低。 1、工作原理 气敏电阻一般用SuO2、InO或Fe2O3等金属氧化物粉料添加少量铂催化剂、激活剂,按一定的比例燃烧而成的半导体器件。它的结构、测量电路如图2.26 所示。 图 2.26 气敏传感器的结构及测量电路 2、实用线路:矿灯瓦斯报警器 瓦斯探头由QM-N5型气敏元件、R1及4V矿灯需电池等组成。RP为瓦斯报警设定电位器。当瓦斯超过某一设定点时,RP输出信号通过二极管V1加到V2基极上,V2导通,V3、V4便开始工作。V3、V4为互补式自激多谐振荡器,它们的工作使继电器吸合与释放,信号灯闪光报警。 湿敏电阻传感器 工作原理 湿敏电阻是利用湿敏材料吸收空气中的水分而导致本身电阻值发生变化这一原理而制成。湿敏电阻有不同的结构形式。常用的有金属氧化物陶瓷湿敏电阻、金属氧化物湿敏电阻、高分子材料湿敏电阻。 热电阻 利用导体或半导体的电阻值随温度的变化而变化的特性来测量温度的感温元件叫热电阻。它可用于测量 -200~500℃范围内的温度。 2.7.1 金属热电阻 大多数金属导体的电阻,都具有随温度变化的特性。其特性方程式如下: 式中,Rt、R0分别为热电阻在t℃和0℃时的电阻值;?为热电阻的电阻温度系数(1/℃)。 1.铂热电阻 铂的物理、化学性能非常稳定,是目前制造热电阻的最好材料。铂电阻主要作为标准电阻温度计,广泛地应用于温度的基准、标准的传递。 2.测量电路 图2.37 三线制连接法测量电路 图2.38 四线制连接法测量电路 3.铜电阻 在测量精度不太高,测量范围不大的情况下,可以采用铜电阻来代替铂电阻,当测量精度要求不高,温度范围在-50~150℃的场合,普遍采用铜电阻。铜电阻与温度呈线性关系,可用下式表示: 4.其他热电阻 (1)铟电阻。它是一种高精度低温热电阻。可用于不能使用铂的低温范围。其缺点是材料很软,复制性很差。 (2)锰电阻。锰电阻的特点是在2~63K的低温范围内,电阻值随温度变化很大,灵敏度高;在2~16K的温度范围内,电阻率随温度平方变化。磁场对锰电阻的影响不大,且有规律。锰电阻的缺点是脆性很大,难以控制成丝。 2.7.2 半导体热敏电阻 半导体热敏电阻的特点是灵敏度高,体积小,反应快。它是利用半导体的电阻值随温度显著变化的特性制成的,在一定的范围内根据测量获得的热敏电阻阻值的变
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