光电子学-6-第六章.ppt

电子科技大学通信与信息工程学院 1873年，英国的Smith和May发现，当光照射到用作电阻的硒（Se）棒后，其电阻值约改变30％。 同年Simens将铂金绕在这种硒棒上，制成了第一个光电池。 1887年，德国的赫兹在证明电磁波的实验时，发现两个锌质小球之一用紫外线照射，则两个小球之间就非常容易产生电火花。 1888年，德国的霍耳瓦克斯证明光照射到金属表面上会引起电子发射； 1909年，Richtmeyer发现，封入真空中的Na光电阴极所发射的电子总数与照射的光子数成正比，奠定了光电管的基础； 接着美国的Zworkyn研制出各种光电阴极材料，并制造出了光电倍增管，并于1933年发明了光电摄像管； 1950年，美国的Weimer等人研制出光导摄像管； 1970年，Boyle等人发明了CCD（电荷耦合器件）。 根据电磁波对材料的影响 根据电磁波对材料的影响 根据电磁波对材料的影响 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-2. 典型光电探测器 雪崩光电二极管的G与外加偏压有关，它随偏压的增大而增大。这个特性使雪崩管可提供适当的动态范围。当进入雪崩管的光功率较大时，可适当降低偏压使增益系数G 减小。 增益G还与入射光波长?有关，不同的?，G-V关系的曲线不同。 电流增益系数G也与温度有关。同一偏压下，不同的温度有不同的G。温度上升，G下降，使输出电流变化。 6.2