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再谈近红外线影像技术 慧聪安防商务网 ??? 2002-06-07 9:14:35??????? ??? 作者——金台宝????笔者从事「近红外线」影像的相关工作已经有十七年的经验，十七年前首次接触「近红外线」技术时，完全是个行外汉，除了对此技术感到惊奇之外，第一个反应就是一连串的「为什么」─为什么在图书馆与书市里找不到任何有关红外线的资料？为什么没有一所大学或研究所开过有关红外线的课程？为什么没有一本有关红外线的专门著作？多年来笔者投入红外线领域，一切从无到有，有感于大家普遍对于近红外线资料的收集不易，再度提笔写了这篇文章。????????近红外线原本是噪讯（noise）????对标准的电子影像技术而言，近红外线是非常不受欢迎的噪讯。在电子摄像管（Image pickup tube）时代如此，到CCD的时代亦是如此，所以在一般商用的电子摄像管及CCD之前，必定有一片「近红外线滤除滤色片」（IR-cut filter），使电子摄像组件只能在可见光域中工作。在电子摄像管时代，要检验摄像管的优劣，通常会拿摄影机拍摄红色背景的影像，这时候红色的背景必然闪烁不定，而愈稳定的摄影机品质愈高，价格愈贵。其中闪烁不定的红色背景是肇因于红外线及热。进入CCD时代后，红色背景的闪烁程度较为减轻，原因之一是CCD的温度较电子摄像管低。????CCD的响应频率是受其所使用的材质所影响的，而大部份的CCD都是用半透明的硅晶所制造的（其截面图如图1），当光线照到硅晶时，由于波长不同，穿透力亦不相同。紫外线的波长最短，所以只能达到表面无法造成感应，可见光部份则可穿透电极达到硅晶，因而产生「电子电洞组」（Electron-hole pair）形成信号，而近红外线虽具有较强的穿透力，但是当光子通过硅晶之后，在硅晶深层所产生的「电子电洞组」却会在晶体内散射，再回到「位能阱」产生信号，但是它的量子效能却和深入的深度及硅晶的吸收度成反比，因此所产生的量子效率很低，此称为Ficks First Law of Diffusion。当波长更长，穿透力超过硅晶的厚度以后，就不再产生「电子电洞组」，此临界点称为「临界波长」（Cut-off wave length）及「能带间隙」（Energy band-gap），临界波长约为 1.1um。 ????????「电荷耦合型」固态摄像组件之截面工作说明 ????毕竟CCD主要是设计给电视影像使用的，所以一切的目标都是为了要表现400~700nm的可见光。超过800nm以后，其量子效率迅速降低，但是在700~900nm之间就成为最近几年CCD摄影机的重要卖点。其中最引人注目的事件就是日本SONY公司在1998年所推出，具备Nightshot的摄录像机（HandyCam，采用EXview HAD CCD技术（备注）），号称运用内藏的红外线发光二极管（应该不是激光二极管，因为在发光出口处并无激光警告标示），可以在0 Lux的照度下拍摄暗中影像，结果产生类似「透视」效果而引爆新闻事件，造成抢购甚至缺货。关于一般CCD的感光域（响应频率）请参考图2；EXview HAD CCD与传统CCD感光域（响应频率）的比较，请参考图3。 ????????图2/一般CCD感光域（响应频率）示意图????此图为一般CCD感光域（响应频率）的粗略表示，中段部份连续起伏的部份是因为硅芯片本身对光线干涉的结果。本图为手绘图，仅供参考，并无实际之对应性。 ????????图3/EXview HAD CCD与传统CCD感光域（响应频率）比较图 ????使用CCD摄影机配合近红外线灯光、近红外线发光二极管及近红外线雷射二极管拍摄近红外线影像并非CCD摄影机的原始设计意图，却因CCD在700~900nm间丰富的感光特性而另外成就一番天地，阴错阳差而意外成功的案例，确实出乎意料。????????备注:????根据台湾新力国际股份有限公司在公司网站「半导体新知」项目中介绍（原文照录）：「EXview HAD CCD(1998年)：比可视光波长更长的红外线光，会在半导体硅芯片内做光电变换。可是到现在为止的CCD设计是无法将这些光电变换后的电荷，以有效的方法收集到传感器内。新开发的EXview HAD CCD技术下就可以将以前未能有效利用的近红外线光可被有效转换成为映像资料而用。使得可视光范围扩充到红外线，使得感光度能大幅提高。如果利用EXview HAD CCD组件时，在黑暗的环境下也可得到高亮度的照片。而且之前在硅晶板深层中做的光电变换时，会漏出到垂直CCD部分的SMEAR成分也可被收集到传感器内。所以会影响画质的噪声也大幅降低。」????????近红外线影像超出人类视觉认知范围????正如前面提到的，CCD主要是设计